講演名 | 2001/3/8 貼り合わせSOI基板に作製したC帯(3.9~6.2GHz)SOIパワーMOSFET 松本 聡, 平岡 靖史, 酒井 達郎, |
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抄録(和) | 0.4ミクロンルールタングステンポリサイドゲートプルセスを用いて貼り合わせ SOI基板上にRFパワーMOSFETを試作した。ゲート長0.4ミクロン、オフセット長0.4ミクロンの時の耐圧は10Vであった。また、電源電圧3.0V、周波数2GNzの時、電力付加効率66%、飽和出力24dBmであった。また、周波数5.8GHzの時、電力付加効率52%、飽和出力20.3dBmであった。0.5ミクロンルールで試作したSOI パワーMOSFETに比べ、高性能であった。これらの結果より、0.4ミクロンCMOS技術は、C帯に適用可能である。 |
抄録(英) | Highly-efficient RF thin-film SOI power MOSFETs were fabricated by 0.4-gm CMOS/SOI process. Their breakdown voltage were more than 10V. When the drain supply voltage was 3.0V, its power-added efficiency and saturation output power were 66% and 24 dBm at 2 GHz and 52% and 20.3 dBm at 5GHz. These values were higher than the corresponding values for a thin-film SOI power MOSFET fabricated using 0.5-μm CMOS/SOI technology. These results indicate that the 0.4-μm thin-film SOI technology is applicable at c-band |
キーワード(和) | SOI / パワーMOSFET / RFパワーアンプ / 電力付加効率 |
キーワード(英) | SOI / Power MOSFET / RF power amplifier / Power-added efficiency |
資料番号 | SDM2000-250 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2001/3/8(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 貼り合わせSOI基板に作製したC帯(3.9~6.2GHz)SOIパワーMOSFET |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | C-Band SOI Power MOSFETs Fabricated Using Bonded SOI Substrate |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | SOI / SOI |
キーワード(2)(和/英) | パワーMOSFET / Power MOSFET |
キーワード(3)(和/英) | RFパワーアンプ / RF power amplifier |
キーワード(4)(和/英) | 電力付加効率 / Power-added efficiency |
第 1 著者 氏名(和/英) | 松本 聡 / Satoshi Matsumoto |
第 1 著者 所属(和/英) | NTT通信エネルギー研究所 NTT Telecommunications Energy Laboratories |
第 2 著者 氏名(和/英) | 平岡 靖史 / Yasushi Hiraoka |
第 2 著者 所属(和/英) | NTT通信エネルギー研究所 NTT Telecommunications Energy Laboratories |
第 3 著者 氏名(和/英) | 酒井 達郎 / Tatsuo Sakai |
第 3 著者 所属(和/英) | NTT通信エネルギー研究所 NTT Telecommunications Energy Laboratories |
発表年月日 | 2001/3/8 |
資料番号 | SDM2000-250 |
巻番号(vol) | vol.100 |
号番号(no) | 668 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |