| 講演名 | 2001/3/8 スプリットゲート型フラッシュメモリのカップリング係数測定における制御ゲート適正電圧の設定 藤原 英明, 廣島 崇, 有本 護, 海田 孝行, 本間 運也, 周藤 祥司, 黒岡 和巳, 平獺 征基, 豆野 和延, |
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| 抄録(和) | スプリットゲート型フラッシュメモリでコントロールゲート(CG)とフローティングゲート(FG)のカップリング係数を求める方法として、サブスレッショルドスロープメソッドが広く用いられている。今回我々は、この測定を正しく行うには、CG電圧(V_ |
| 抄録(英) | We have demonstrated that the control-gate voltage (VG) of a split-gate Flash EEPROM should be less than the sum of the drain voltage (VD) and the control-gate transistor's threshold value (VtCG) for extracting the coupling coefficient from the subthreshold slope method. When VG>VD+VtCG, the subthreshold current under the floating gate decreases and the measured coupling coefficient of the control gate regarded smaller than the actual value. |
| キーワード(和) | スプリットゲート / フラッシュメモリ / カップリング係数 / サブスレッショルド電流 |
| キーワード(英) | split-gate / Flash EEPROM / coupling coefficient / subthreshold slope method |
| 資料番号 | SDM2000-242 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2001/3/8(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | スプリットゲート型フラッシュメモリのカップリング係数測定における制御ゲート適正電圧の設定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control-Gate Voltage of a Split-Gate Flash EEPROM for Extracting the Coupling Coefficient from the Subthreshold Slope Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | スプリットゲート / split-gate |
| キーワード(2)（和/英） | フラッシュメモリ / Flash EEPROM |
| キーワード(3)（和/英） | カップリング係数 / coupling coefficient |
| キーワード(4)（和/英） | サブスレッショルド電流 / subthreshold slope method |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤原 英明 / H. Fujiwara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, Sanyo Electric Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 廣島 崇 / T. Hiroshima |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, Sanyo Electric Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 有本 護 / M. Arimoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, Sanyo Electric Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 海田 孝行 / T. Kaida |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, Sanyo Electric Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 本間 運也 / K. Honma |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, Sanyo Electric Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 周藤 祥司 / S. Sudo |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, Sanyo Electric Co., Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 黒岡 和巳 / K. Kurooka |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, Sanyo Electric Co., Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 平獺 征基 / M. Hirase |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, Sanyo Electric Co., Ltd. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 豆野 和延 / K. Mameno |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, Sanyo Electric Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2001/3/8 |
| 資料番号 | SDM2000-242 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 668 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |