講演名 | 2001/3/8 極狭チャネルMOSFETにおける量子力学的狭チャネル効果 間島 秀明, 平本 俊郎, |
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抄録(和) | 極微細MOSFETにおいて、量子効果がしきい値電圧に及ぼす影響を実験および計算により調べた。極めて細い細線MOSFETにおいて、細線幅が10nm以下になるにつれて室温でしきい値電圧が大きく上昇し、強い紬線幅依存性を持つことが実測により初めて示された。また、細線における量子準位の計算から、このしきい値電圧上昇が、チャネル中における量子閉じ込めに起因した量子力学的狭チャネル効果によるものと確認した。 |
抄録(英) | Quantum mechanical narrow channel effect has large impact on threshold voltage in ultra-narrow MOSFETs. We have successfully demonstrated threshold voltage increase caused by the quantum mechanical narrow channel effect. Threshold voltage increase is observed at room temperature in ultra-narrow MOSFETs whose channel width is less than 10 nm. The result is in excellent agreement with numerical calculation which takes into account quantum confinement in a silicon narrow wire. |
キーワード(和) | 量子力学的狭チャネル効果 / 量子閉じ込め / 微細MOSFET / しきい値電圧上昇 / SOI |
キーワード(英) | quantum mechanical narrow channel effect / quantum confinement / ultra-narrow MOSFET / threshold voitage increase / SOI |
資料番号 | SDM2000-244 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2001/3/8(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 極狭チャネルMOSFETにおける量子力学的狭チャネル効果 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Quantum Mechanical Narrow Channel Effect in Ultra Narrow MOSFETs |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 量子力学的狭チャネル効果 / quantum mechanical narrow channel effect |
キーワード(2)(和/英) | 量子閉じ込め / quantum confinement |
キーワード(3)(和/英) | 微細MOSFET / ultra-narrow MOSFET |
キーワード(4)(和/英) | しきい値電圧上昇 / threshold voitage increase |
キーワード(5)(和/英) | SOI / SOI |
第 1 著者 氏名(和/英) | 間島 秀明 / H. Majima |
第 1 著者 所属(和/英) | 東京大学生庭技術研究所 Institute of Industrial Science, Univrsity of Tokyo |
第 2 著者 氏名(和/英) | 平本 俊郎 / T. Hiramoto |
第 2 著者 所属(和/英) | 東京大学生庭技術研究所:東京大学大規模集積システム教育研究センター Institute of Industrial Science, Univrsity of Tokyo:VLSI Design and Education Center, University of Tokyo |
発表年月日 | 2001/3/8 |
資料番号 | SDM2000-244 |
巻番号(vol) | vol.100 |
号番号(no) | 668 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 8 |
発行日 |