エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2023/11/30)

タイトル/著者/発表日/資料番号
単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えたAlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価

川出 智之(名工大),  米谷 宜展(名工大),  田中 さくら(名工大),  江川 孝志(名工大),  三好 実人(名工大),  

[発表日]2023-11-30
[資料番号]ED2023-14,CPM2023-56,LQE2023-54
光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価

藤澤 孝博(名工大),  Hu Nan(名工大),  小嶋 智輝(名工大),  江川 孝志(名工大),  三好 実人(名工大),  

[発表日]2023-11-30
[資料番号]ED2023-23,CPM2023-65,LQE2023-63
電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaNショットキー接触の二次元評価

吉村 遥翔(福井大),  今林 弘毅(福井大),  堀切 文正(住友化学),  成田 好伸(住友化学),  藤倉 序章(住友化学),  太田 博(法政大),  三島 友義(法政大),  塩島 謙次(福井大),  

[発表日]2023-11-30
[資料番号]ED2023-18,CPM2023-60,LQE2023-58
四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製

滝本 将也(名工大),  間瀬 晃(名工大),  小嶋 智輝(名工大),  江川 孝志(名工大),  三好 実人(名工大),  

[発表日]2023-11-30
[資料番号]ED2023-15,CPM2023-57,LQE2023-55
自在な電気的スペクトル変調に向けたInGaN系広帯域発光構造の設計と作製

宮脇 啓嘉(京大),  松田 祥伸(京大),  船戸 充(京大),  川上 養一(京大),  

[発表日]2023-11-30
[資料番号]ED2023-21,CPM2023-63,LQE2023-61
半極性面GaNマイクロレンズ構造上InGaN量子井戸における広帯域発光へのアプローチ

福重 翔吾(京大),  松田 祥伸(京大),  船戸 充(京大),  川上 養一(京大),  

[発表日]2023-11-30
[資料番号]ED2023-22,CPM2023-64,LQE2023-62
ALDにより形成した絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HFETに対するゲートリセスエッチング後表面処理の効果

久保 俊晴(名工大),  江川 孝志(名工大),  

[発表日]2023-11-30
[資料番号]ED2023-16,CPM2023-58,LQE2023-56
Mgの熱拡散によるp型GaNの実現とデバイス応用への課題

伊藤 佑太(名大),  渡邉 浩崇(名大),  出来 真斗(名大),  新田 州吾(名大),  田中 敦之(名大),  本田 善夫(名大),  天野 浩(名大),  

[発表日]2023-11-30
[資料番号]ED2023-19,CPM2023-61,LQE2023-59
MOVPEを用いた(0001)面上への低炭素GaNの成長

渡邉 浩崇(名大),  新田 州吾(名大),  藤元 直樹(名大),  川崎 晟也(名大),  隈部 岳瑠(名大),  大西 一生(名大),  本田 善央(名大),  天野 浩(名大),  

[発表日]2023-11-30
[資料番号]ED2023-20,CPM2023-62,LQE2023-60
ALD-Al2O3絶縁ゲート構造の欠陥低減に向けた水蒸気酸化技術

尾崎 史朗(富士通),  熊崎 祐介(富士通),  岡本 直哉(富士通),  中舍 安宏(富士通),  多木 俊裕(富士通),  原 直紀(富士通),  

[発表日]2023-11-30
[資料番号]ED2023-17,CPM2023-59,LQE2023-57
一軸性応力印加によるInGaN量子井戸の偏光制御と変形ポテンシャルの決定

森 恵人(金沢工大),  山口 敦史(金沢工大),  牧野 智大(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  大原 真穂(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  濱口 達史(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  幸田 倫太郎(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  

[発表日]2023-12-01
[資料番号]ED2023-26,CPM2023-68,LQE2023-66
ストライプコアGaN基板上InGaN量子井戸における顕微PA・PL同時ラインスキャン測定

神野 翔綺(金沢工大),  森 恵人(金沢工大),  山口 敦史(金沢工大),  草薙 進(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  蟹谷 裕也(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  冨谷 茂隆(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  工藤 喜弘(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  

[発表日]2023-12-01
[資料番号]ED2023-25,CPM2023-67,LQE2023-65
可視光光触媒g-C3N4/SnS2のZスキーム形成

森 耀平(静岡大),  Baskar Malathi(静岡大),  中村 篤志(静岡大),  

[発表日]2023-12-01
[資料番号]ED2023-28,CPM2023-70,LQE2023-68
ウェットエッチングしたAlNナノピラー上のUV-Bレーザーダイオードの光学特性評価

井本 圭紀(名城大),  近藤 涼輔(名城大),  山田 凌矢(名城大),  服部 光希(名城大),  西林 到真(名城大),  岩山 章(名城大),  上山 智(名城大),  竹内 哲也(名城大),  岩谷 素顕(名城大),  三宅 秀人(三重大),  

[発表日]2023-12-01
[資料番号]ED2023-36,CPM2023-78,LQE2023-76
ヘルムホルツ共鳴利用と光音響セル内空気加圧によるInGaN量子井戸の光音響・発光同時計測のS/N比改善

土佐 宏樹(金沢工大),  森 恵人(金沢工大),  山口 敦史(金沢工大),  

[発表日]2023-12-01
[資料番号]ED2023-24,CPM2023-66,LQE2023-64
縦型AlGaN系UV-B LDの作製

西林 到真(名城大),  近藤 涼輔(名城大),  松原 衣里(名城大),  山田 凌矢(名城大),  井本 圭紀(名城大),  服部 光希(名城大),  岩山 章(名城大),  竹内 哲也(名城大),  上山 智(名城大),  岩谷 素顕(名城大),  三宅 秀人(三重大),  三好 晃平(ウシオ電機),  難波江 宏一(ウシオ電機),  山口 顕宏(西進商事),  

[発表日]2023-12-01
[資料番号]ED2023-33,CPM2023-75,LQE2023-73
熱処理を施したZnOナノロッド層を有するPEDOT:PSS/ZnOナノロッド/ZnO:Gaヘテロ接合のUV光検出特性

廣田 楓(愛媛大),  中堀 将人(愛媛大),  寺迫 智昭(愛媛大),  矢木 正和(香川高専),  山本 哲也(高知工科大),  

[発表日]2023-12-01
[資料番号]ED2023-29,CPM2023-71,LQE2023-69
PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/ZnO:Gaヘテロ接合におけるキャリア輸送機構

寺迫 智昭(愛媛大),  矢木 正和(香川高専),  山本 哲也(高知工科大),  

[発表日]2023-12-01
[資料番号]ED2023-30,CPM2023-72,LQE2023-70
BGaN中性子検出器に向けた成長条件の諸検討および放射線特性評価

中野 貴之(静岡大),  高橋 祐吏(静岡大),  太田 悠斗(静岡大),  清水 勇希(静岡大),  井上 翼(静岡大),  青木 徹(静岡大),  

[発表日]2023-12-01
[資料番号]ED2023-27,CPM2023-69,LQE2023-67
その場反射率スペクトル測定を用いたAlInN/GaN DBRの高精度膜厚制御

小林 憲汰(名城大),  渡邊 琉加(名城大),  西川 大智(名城大),  竹内 哲也(名城大),  岩谷 素顕(名城大),  上山 智(名城大),  

[発表日]2023-12-01
[資料番号]ED2023-31,CPM2023-73,LQE2023-71
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