講演名 2023-12-01
ウェットエッチングしたAlNナノピラー上のUV-Bレーザーダイオードの光学特性評価
井本 圭紀(名城大), 近藤 涼輔(名城大), 山田 凌矢(名城大), 服部 光希(名城大), 西林 到真(名城大), 岩山 章(名城大), 上山 智(名城大), 竹内 哲也(名城大), 岩谷 素顕(名城大), 三宅 秀人(三重大),
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抄録(和) 我々のグループでは、周期的な構造を持ったAlNナノピラー上に結晶を成長させることにより、格子緩和した高品質AlGaNが作製可能であること、さらに、そのAlGaN上にレーザー構造を積層することでしきい値電流密度が低減することを報告してきた。本研究では、AlNナノピラーをTMAH水溶液でウェットエッチングすることにより光励起レーザーのしきい値パワー密度が低下することを見出した。さらに、そのAlGaNの転位密度や内部量子効率などを詳細に比較した結果について報告する。
抄録(英) Our groups reported that we could fabricate high quality lattice relaxed AlGaN grown on periodic AlN nanopillars.and threshold current density of laser grown on its AlGaN template decreased. In this report, We realized reduction of threshold power density by using wet etching. In addition, we will report dislocation density and internal quantum efficiency in AlGaN
キーワード(和) AlNナノピラー / AlGaN / 光励起レーザー
キーワード(英) AlN nanopillar / AlGaN / optical pumping laser
資料番号 ED2023-36,CPM2023-78,LQE2023-76
発行日 2023-11-23 (ED, CPM, LQE)

研究会情報
研究会 LQE / ED / CPM
開催期間 2023/11/30(から2日開催)
開催地(和) アクトシティ浜松
開催地(英)
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 西村 公佐(KDDI総合研究所) / 葛西 誠也(北大) / 中澤 日出樹(弘前大)
委員長氏名(英) Kosuke Nishimura(KDDI Research) / Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.)
副委員長氏名(和) 山口 敦史(金沢工大) / 新井 学(名大) / 寺迫 智昭(愛媛大)
副委員長氏名(英) Atsushi Yamaguchi(Kanazawa Inst. of Tech.) / Manabu Arai(Nagoya Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.)
幹事氏名(和) 田中 信介(富士通) / 西島 喜明(横浜国大) / 大石 敏之(佐賀大) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 番場 教子(信州大) / 武山 真弓(北見工大)
幹事氏名(英) Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Yoshiaki Nishijima(Yokohama National Univ.) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech)
幹事補佐氏名(和) 望月 敬太(三菱電機) / 小山 政俊(阪工大) / 吉田 智洋(住友電工デバイス・イノベーション) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 中村 雄一(豊橋技科大)
幹事補佐氏名(英) Keita Mochiduki(Yokohama National Univ.) / Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Tomohiro Yoshida(SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) ウェットエッチングしたAlNナノピラー上のUV-Bレーザーダイオードの光学特性評価
サブタイトル(和)
タイトル(英) The properties of UV-B laser diodes on AlN nanopillars by using wet etching method
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) AlNナノピラー / AlN nanopillar
キーワード(2)(和/英) AlGaN / AlGaN
キーワード(3)(和/英) 光励起レーザー / optical pumping laser
第 1 著者 氏名(和/英) 井本 圭紀 / Yoshinori Imoto
第 1 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ)
第 2 著者 氏名(和/英) 近藤 涼輔 / Ryosuke Kondo
第 2 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ)
第 3 著者 氏名(和/英) 山田 凌矢 / Ryoya Yamada
第 3 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ)
第 4 著者 氏名(和/英) 服部 光希 / Koki Hattori
第 4 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ)
第 5 著者 氏名(和/英) 西林 到真 / Toma Nishibayashi
第 5 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ)
第 6 著者 氏名(和/英) 岩山 章 / Sho Iwayama
第 6 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ)
第 7 著者 氏名(和/英) 上山 智 / Satoshi Kamiyama
第 7 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ)
第 8 著者 氏名(和/英) 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi
第 8 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ)
第 9 著者 氏名(和/英) 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya
第 9 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ)
第 10 著者 氏名(和/英) 三宅 秀人 / Hideto Miyake
第 10 著者 所属(和/英) 三重大学(略称:三重大)
Mie University(略称:Mie Univ)
発表年月日 2023-12-01
資料番号 ED2023-36,CPM2023-78,LQE2023-76
巻番号(vol) vol.123
号番号(no) ED-288,CPM-289,LQE-290
ページ範囲 pp.98-101(ED), pp.98-101(CPM), pp.98-101(LQE),
ページ数 4
発行日 2023-11-23 (ED, CPM, LQE)