| 講演名 | 2023-12-01 ストライプコアGaN基板上InGaN量子井戸における顕微PA・PL同時ラインスキャン測定 神野 翔綺(金沢工大), 森 恵人(金沢工大), 山口 敦史(金沢工大), 草薙 進(ソニーセミコンダクタソリューションズ), 蟹谷 裕也(ソニーセミコンダクタソリューションズ), 冨谷 茂隆(ソニーセミコンダクタソリューションズ), 工藤 喜弘(ソニーセミコンダクタソリューションズ), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 我々は、InGaN量子井戸発光層の電子構造とキャリアダイナミクスを完全に理解するためには、正確な内部量子効率(IQE)が必要であると考え、正確なIQEを決定するための光音響(PA)測定とフォトルミネッセンス(PL)測定の同時計測を提案している。今回は、欠陥密度が位置によって大きく変化するストライプコアGaN基板上のInGaN量子井戸試料を用いて、PA・PL同時計測のラインスキャン測定を行った。その結果、PA強度とPL強度は相補的であるという妥当な結果が得られた。IQEを正しく見積もるためには、この相補性を定量的に解析する必要があるが、現状では励起光の基板吸収などの影響があり、そうした影響を取り除く必要がある。 |
| 抄録(英) | Accurate measurement of internal quantum efficiency (IQE) is necessary for a comprehensive understanding of the electronic structures and carrier dynamics in InGaN quantum-well emitting layers, and we have proposed simultaneous photoacoustic (PA) and photoluminescence (PL) measurements for such accurate IQE estimation. In this study, we have performed line-scan measurements of the simultaneous PA and PL measurements for InGaN quantum wells on a stripe-core GaN substrate, where the defect density spatially varies significantly. The results show that the PA and PL signal intensities show complemental relationship, which is quite reasonable. However, the data are affected by substrate absorption of the excitation light, and such effects should be removed to estimate accurate IQE values from the measurement data |
| キーワード(和) | InGaN量子井戸 / PA測定 / PL測定 / 内部量子効率 |
| キーワード(英) | InGaN Quantum Well / Simultaneous photoacoustic / Photoluminescence measurements / Internal quantum efficiency |
| 資料番号 | ED2023-25,CPM2023-67,LQE2023-65 |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / ED / CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2023/11/30(から2日開催) |
| 開催地（和） | アクトシティ浜松 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 西村 公佐(KDDI総合研究所) / 葛西 誠也(北大) / 中澤 日出樹(弘前大) |
| 委員長氏名（英） | Kosuke Nishimura(KDDI Research) / Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 山口 敦史(金沢工大) / 新井 学(名大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
| 副委員長氏名（英） | Atsushi Yamaguchi(Kanazawa Inst. of Tech.) / Manabu Arai(Nagoya Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 田中 信介(富士通) / 西島 喜明(横浜国大) / 大石 敏之(佐賀大) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 番場 教子(信州大) / 武山 真弓(北見工大) |
| 幹事氏名（英） | Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Yoshiaki Nishijima(Yokohama National Univ.) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) |
| 幹事補佐氏名（和） | 望月 敬太(三菱電機) / 小山 政俊(阪工大) / 吉田 智洋(住友電工デバイス・イノベーション) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Keita Mochiduki(Yokohama National Univ.) / Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Tomohiro Yoshida(SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ストライプコアGaN基板上InGaN量子井戸における顕微PA・PL同時ラインスキャン測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simultaneous microscopic PA/PL line-scan measurements in InGaN-QWs on Stripecore GaN Substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN量子井戸 / InGaN Quantum Well |
| キーワード(2)（和/英） | PA測定 / Simultaneous photoacoustic |
| キーワード(3)（和/英） | PL測定 / Photoluminescence measurements |
| キーワード(4)（和/英） | 内部量子効率 / Internal quantum efficiency |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 神野 翔綺 / Syoki Jinno |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa Inst. of Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森 恵人 / Keito Mori-Tamamura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa Inst. of Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山口 敦史 / Atsushi A. Yamaguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa Inst. of Tech.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 草薙 進 / Susumu Kusanagi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社(略称：ソニーセミコンダクタソリューションズ) Sony Semiconductor Solutions Corporation(略称：Sony Semiconductor Solutions Corp.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 蟹谷 裕也 / Yuya Kanitani |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社(略称：ソニーセミコンダクタソリューションズ) Sony Semiconductor Solutions Corporation(略称：Sony Semiconductor Solutions Corp.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 冨谷 茂隆 / Shigetaka Tomiya |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社(略称：ソニーセミコンダクタソリューションズ) Sony Semiconductor Solutions Corporation(略称：Sony Semiconductor Solutions Corp.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 工藤 喜弘 / Yoshihiro Kudo |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社(略称：ソニーセミコンダクタソリューションズ) Sony Semiconductor Solutions Corporation(略称：Sony Semiconductor Solutions Corp.) |
| 発表年月日 | 2023-12-01 |
| 資料番号 | ED2023-25,CPM2023-67,LQE2023-65 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | ED-288,CPM-289,LQE-290 |
| ページ範囲 | pp.52-55(ED), pp.52-55(CPM), pp.52-55(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) |