| 講演名 | 2023-12-01 縦型AlGaN系UV-B LDの作製 西林 到真(名城大), 近藤 涼輔(名城大), 松原 衣里(名城大), 山田 凌矢(名城大), 井本 圭紀(名城大), 服部 光希(名城大), 岩山 章(名城大), 竹内 哲也(名城大), 上山 智(名城大), 岩谷 素顕(名城大), 三宅 秀人(三重大), 三好 晃平(ウシオ電機), 難波江 宏一(ウシオ電機), 山口 顕宏(西進商事), |
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| 抄録(和) | 本研究では、大電流動作に有利で且つ高出力動作が可能な縦型UV-Bレーザーダイオードの作製方法およびその特性について報告する。縦伝導デバイスの実現には、絶縁性のサファイア基板及びAlN層を除去する手法の確立、剥離したデバイスの層構造を支持する方法の確立、平滑な共振器端面の形成技術の確立が必要である。本稿では、レーザーリフトオフ法による基板剥離技術の確立、支持基盤の選択、支持基盤上に固定したデバイスのへき開による端面の形成技術の確立に向けた検討結果についてまず述べる。さらに、これらのプロセスを活用して作製した縦型AlGaN系UV-Bレーザーダイオードを室温パルス下で評価した結果についてもあわせて報告する。 |
| 抄録(英) | In this study, we report on the fabrication method and characteristics of vertical UV-B laser diodes, which are advantageous for high-current operation and capable of high-power operation. To realize vertical devices, it is necessary to establish a method for exfoliating insulating sapphire substrates and AlN layers, a method for supporting the layer structure of the exfoliated device, and a technique for forming smooth optical cavity edge surfaces. In this report, we first describe the results of our investigations into establishing a substrate exfoliated technique using a laser lift-off method, selecting a support substrate, and establishing an edge face formation technique by cleavage of the device fixed on the support substrate. We also report the results of the evaluation of vertical AlGaN-based UV-B laser diodes fabricated using these processes under room temperature pulses. |
| キーワード(和) | 半導体 / レーザーダイオード / UV-B領域(波長λ：280 nm〜315 nm) / 縦伝導 |
| キーワード(英) | semiconductor / laser diode / UV-B region (Wavelength range from 280 nm to 315 nm) / vertical |
| 資料番号 | ED2023-33,CPM2023-75,LQE2023-73 |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / ED / CPM |
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| 開催期間 | 2023/11/30(から2日開催) |
| 開催地（和） | アクトシティ浜松 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 西村 公佐(KDDI総合研究所) / 葛西 誠也(北大) / 中澤 日出樹(弘前大) |
| 委員長氏名（英） | Kosuke Nishimura(KDDI Research) / Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 山口 敦史(金沢工大) / 新井 学(名大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
| 副委員長氏名（英） | Atsushi Yamaguchi(Kanazawa Inst. of Tech.) / Manabu Arai(Nagoya Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 田中 信介(富士通) / 西島 喜明(横浜国大) / 大石 敏之(佐賀大) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 番場 教子(信州大) / 武山 真弓(北見工大) |
| 幹事氏名（英） | Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Yoshiaki Nishijima(Yokohama National Univ.) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) |
| 幹事補佐氏名（和） | 望月 敬太(三菱電機) / 小山 政俊(阪工大) / 吉田 智洋(住友電工デバイス・イノベーション) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Keita Mochiduki(Yokohama National Univ.) / Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Tomohiro Yoshida(SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 縦型AlGaN系UV-B LDの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of vertical AlGaN-based UV-B LD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体 / semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | レーザーダイオード / laser diode |
| キーワード(3)（和/英） | UV-B領域(波長λ：280 nm〜315 nm) / UV-B region (Wavelength range from 280 nm to 315 nm) |
| キーワード(4)（和/英） | 縦伝導 / vertical |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西林 到真 / Toma Nishibayashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 近藤 涼輔 / Ryosuke Kondo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松原 衣里 / Eri Matsubara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山田 凌矢 / Ryoya Yamada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 井本 圭紀 / Yoshinori Imoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 服部 光希 / Koki Hattori |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 岩山 章 / Sho Iwayama |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 三好 晃平 / Kohei Miyoshi |
| 第 12 著者 所属（和/英） | ウシオ電機株式会社(略称：ウシオ電機) Ushio Inc.(略称：Ushio Inc.) |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 難波江 宏一 / Koichi Naniwae |
| 第 13 著者 所属（和/英） | ウシオ電機株式会社(略称：ウシオ電機) Ushio Inc.(略称：Ushio Inc.) |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | 山口 顕宏 / Akihiko Yamaguchi |
| 第 14 著者 所属（和/英） | 西進商事株式会社(略称：西進商事) Seishin Trading Co. Ltd.(略称：Seishin Trading Co. Ltd.) |
| 発表年月日 | 2023-12-01 |
| 資料番号 | ED2023-33,CPM2023-75,LQE2023-73 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | ED-288,CPM-289,LQE-290 |
| ページ範囲 | pp.84-87(ED), pp.84-87(CPM), pp.84-87(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) |