| 講演名 | 2023-11-30 電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaNショットキー接触の二次元評価 吉村 遥翔(福井大), 今林 弘毅(福井大), 堀切 文正(住友化学), 成田 好伸(住友化学), 藤倉 序章(住友化学), 太田 博(法政大), 三島 友義(法政大), 塩島 謙次(福井大), |
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| 抄録(和) | 界面顕微光応答法( Scanning Internal Photoemission Microscopy : SIPM )を用いて、ジャンクションバリアショットキーダイオードをシンプルにしたAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaN構造の2次元評価を行った。青色SIPM Y (光電子収率)像において、電極中央部よりロックイン検出の位相が180°回転し、約25倍大きい信号が電極周辺部で検出された。Yスペクトルの測定結果を考慮すると、電極端から横方向に広がるNi/p+-GaNショットキー接触の寄与が原因であると考えられる。SIPM法を用いた2次元評価は電極周辺部における電流輸送機構を解明することに有望であることを示した。 |
| 抄録(英) | We applied scanning internal photoemission microscopy (SIPM) method to clarify the two-dimensional basic characteristics of the Au/Ni/thin heavily-Mg-doped p-GaN/n-GaN Schottky contacts as a simplified structure of a junction barrier Schottky diode. A 25-times larger photocurrent-signal with a lock-in phase shift of 180° was detected on the electrode periphery than that in the electrode center in the SIPM results. Combining with photocurrent-spectra measurements, a lateral distribution of the Ni/p-GaN interface was responsible for the large signal. We could detect the individual current transport mechanism on the electrode peripheries by two-dimensional characterization using the SIPM method. |
| キーワード(和) | GaN / ショットキー接触 / 界面顕微光応答法 |
| キーワード(英) | GaN / Schottky contact / scanning internal photoemission microscopy |
| 資料番号 | ED2023-18,CPM2023-60,LQE2023-58 |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / ED / CPM |
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| 開催期間 | 2023/11/30(から2日開催) |
| 開催地（和） | アクトシティ浜松 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 西村 公佐(KDDI総合研究所) / 葛西 誠也(北大) / 中澤 日出樹(弘前大) |
| 委員長氏名（英） | Kosuke Nishimura(KDDI Research) / Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 山口 敦史(金沢工大) / 新井 学(名大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
| 副委員長氏名（英） | Atsushi Yamaguchi(Kanazawa Inst. of Tech.) / Manabu Arai(Nagoya Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 田中 信介(富士通) / 西島 喜明(横浜国大) / 大石 敏之(佐賀大) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 番場 教子(信州大) / 武山 真弓(北見工大) |
| 幹事氏名（英） | Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Yoshiaki Nishijima(Yokohama National Univ.) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) |
| 幹事補佐氏名（和） | 望月 敬太(三菱電機) / 小山 政俊(阪工大) / 吉田 智洋(住友電工デバイス・イノベーション) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Keita Mochiduki(Yokohama National Univ.) / Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Tomohiro Yoshida(SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaNショットキー接触の二次元評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Two-dimensional characterization of Au/Ni/thin heavily-Mg-doped p-GaN/n-GaN Schottky contacts under applied voltage by scanning internal photoemission microscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contact |
| キーワード(3)（和/英） | 界面顕微光応答法 / scanning internal photoemission microscopy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉村 遥翔 / Haruto Yoshimura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) Fukui University(略称：Fukui univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 今林 弘毅 / Hiroki Imabayashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) Fukui University(略称：Fukui univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 堀切 文正 / Fumimasa Horikiri |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 住友化学株式会社(略称：住友化学) Sumitomo Chemical Company(略称：Sumitomo Chem.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 成田 好伸 / Yoshinobu Narita |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 住友化学株式会社(略称：住友化学) Sumitomo Chemical Company(略称：Sumitomo Chem.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 藤倉 序章 / Hajime Fujikura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 住友化学株式会社(略称：住友化学) Sumitomo Chemical Company(略称：Sumitomo Chem.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 太田 博 / Hiroshi Ohta |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 法政大学(略称：法政大) Hosei university(略称：Hosei Univ.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 法政大学(略称：法政大) Hosei university(略称：Hosei Univ.) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) Fukui University(略称：Fukui univ.) |
| 発表年月日 | 2023-11-30 |
| 資料番号 | ED2023-18,CPM2023-60,LQE2023-58 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | ED-288,CPM-289,LQE-290 |
| ページ範囲 | pp.21-24(ED), pp.21-24(CPM), pp.21-24(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) |