| 講演名 | 2023-11-30 四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製 滝本 将也(名工大), 間瀬 晃(名工大), 小嶋 智輝(名工大), 江川 孝志(名工大), 三好 実人(名工大), |
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| 抄録(和) | GaN系半導体を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）は次世代の高周波デバイスとして有望視されている。GaN系HBTはアクセプタ元素の活性化やp型オーミック電極形成に技術課題がある事が指摘されてきた。本研究では我々が検討を進めてきた四元混晶AlGaInNエミッタとp-GaNよりもアクセプタの活性化エネルギーが小さいp-GaInN層を備えるnpn型GaN-HBTの作製とp型ベース層のコンタクト抵抗の改善を行った。その結果、金属電極とベース層の間にp-GaN再成長を行うことによって、コンタクト抵抗を半分以下に低減することに成功した。試作したデバイスは飽和領域に続いて活性領域が形成されており、ベース電流信号に応じた変調がコレクタ電流に見られるトランジスタ特性を示した。 |
| 抄録(英) | Heterojunction bipolar transistors (HBTs) using GaN-based semiconductors are considered to be promising next-generation high-frequency devices. GaN-HBTs have technical challenges in the activation of Mg in the p-type GaN base layer and in the ohmic contact of the p-type GaN base layer. In this study, we fabricated npn-type GaN-HBTs with a quaternary AlGaInN emitter and a p-GaInN layer with lower acceptor activation energy than p-GaN, and improved the contact resistance of the p-type base layer. As a result, the contact resistance was successfully reduced to less than half by performing p-GaN regrowth between the metal electrode and the base layer. The prototype device had a saturation region followed by an active region, and exhibited transistor characteristics with modulation of the collector current in response to the base current signal. |
| キーワード(和) | HBT / p-GaN / p-GaInN / regrowth / AlGaInN / MOCVD |
| キーワード(英) | HBT / p-GaN / p-GaInN / regrowth / AlGaInN / MOCVD |
| 資料番号 | ED2023-15,CPM2023-57,LQE2023-55 |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / ED / CPM |
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| 開催期間 | 2023/11/30(から2日開催) |
| 開催地（和） | アクトシティ浜松 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 西村 公佐(KDDI総合研究所) / 葛西 誠也(北大) / 中澤 日出樹(弘前大) |
| 委員長氏名（英） | Kosuke Nishimura(KDDI Research) / Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 山口 敦史(金沢工大) / 新井 学(名大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
| 副委員長氏名（英） | Atsushi Yamaguchi(Kanazawa Inst. of Tech.) / Manabu Arai(Nagoya Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 田中 信介(富士通) / 西島 喜明(横浜国大) / 大石 敏之(佐賀大) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 番場 教子(信州大) / 武山 真弓(北見工大) |
| 幹事氏名（英） | Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Yoshiaki Nishijima(Yokohama National Univ.) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) |
| 幹事補佐氏名（和） | 望月 敬太(三菱電機) / 小山 政俊(阪工大) / 吉田 智洋(住友電工デバイス・イノベーション) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Keita Mochiduki(Yokohama National Univ.) / Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Tomohiro Yoshida(SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of GaN HBTs using a quaternary AlGaInN emitter and a GaInN base |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HBT / HBT |
| キーワード(2)（和/英） | p-GaN / p-GaN |
| キーワード(3)（和/英） | p-GaInN / p-GaInN |
| キーワード(4)（和/英） | regrowth / regrowth |
| キーワード(5)（和/英） | AlGaInN / AlGaInN |
| キーワード(6)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 滝本 将也 / Masaya Takimoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst.Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 間瀬 晃 / Akira Mase |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst.Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小嶋 智輝 / Kojima tomoki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst.Tech.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Egawa Takashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst.Tech.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 三好 実人 / Miyoshi Makoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst.Tech.) |
| 発表年月日 | 2023-11-30 |
| 資料番号 | ED2023-15,CPM2023-57,LQE2023-55 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | ED-288,CPM-289,LQE-290 |
| ページ範囲 | pp.6-10(ED), pp.6-10(CPM), pp.6-10(LQE), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) |