エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1996/11/01)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1996/11/1
[資料番号]
目次

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[発表日]1996/11/1
[資料番号]
リモートプラズマCVD法による有機ゲルマニウムからのゲルマニウム結晶性薄膜の形成

青木 徹,  荻島 拓哉,  中西 洋一郎,  畑中 義式,  

[発表日]1996/11/1
[資料番号]SDM96-107
アルキルシラン単一原料を用いた原子状水素励起化学気相堆積

Wrobel Aleksander M.,  畑中 義式,  Wickramanayaka Sunil,  中西 洋一郎,  

[発表日]1996/11/1
[資料番号]SDM96-108
サイクロトロン共鳴質量分析器を用いたCF4磁化プラズマ中正負イオンの同時測定

河合 了一,  三重野 哲,  

[発表日]1996/11/1
[資料番号]SDM96-109
表面波により生成されたプラズマ源のモデリング

Odrobina Igor,  神藤 正士,  

[発表日]1996/11/1
[資料番号]SDM96-110
異常グロー放電を用いたkeV領域X線源

佐藤 謙一,  深尾 正之,  

[発表日]1996/11/1
[資料番号]SDM96-111
高気圧キセノンガス中の表面波放電

Kudela Jozef,  Odrobina Igor,  神藤 正士,  

[発表日]1996/11/1
[資料番号]SDM96-112
プロセス用大口径プラズマの生成と制御

佐藤 徳芳,  

[発表日]1996/11/1
[資料番号]SDM96-113
UHFプラズマ源の特性評価およびドライエッチングへの応用

中川 行人,  高木 憲一,  小出 知昭,  和仁 悦夫,  野上 裕,  寒川 誠二,  塚田 勉,  

[発表日]1996/11/1
[資料番号]SDM96-114
リモートプラスマCVDによる低温Siエピタキシャル成長

ガンジュ アシュトシュ,  西田 輝明,  ベ インホ,  吉田 明,  

[発表日]1996/11/1
[資料番号]SDM96-115
窒化物半導体における欠陥準位密度の理論的解析

吉田 明,  松田 祐二,  

[発表日]1996/11/1
[資料番号]SDM96-116
i-C_4H_<10>/N_2スーパーマグネトロンプラズマを用いた導電性硬質カーボン(DLC)膜の形成

高橋 遵,  半戸 琢也,  木下 治久,  

[発表日]1996/11/1
[資料番号]SDM96-117
ECRプラズマCVDによるプラスチック上へのSiC薄膜の形成

佐野 慶一郎,  玉巻 宏章,  野村 雅也,  中西 洋一郎,  畑中 義式,  

[発表日]1996/11/1
[資料番号]SDM96-118
[OTHERS]

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[発表日]1996/11/1
[資料番号]