| 講演名 | 1996/11/1 プロセス用大口径プラズマの生成と制御 佐藤 徳芳, |
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| 抄録(和) | 現在、ドライエッチング、a-Si膜作製など、各種材料プロセスに反応性弱電離プラズマが広く使用されている。ここでは、次世代に必要な大口径均ープラズマの生成と電子温度制御に関する筆者等の研究を紹介する。大口径均ープラズマの生成については、永久磁石を用いる電子サイクロトロン共鳴(ECR)及び変型マグネトロンRF放電によって生成されるプラズマを対象として研究を行ってきた。ただし、プロセス基板近傍では磁界が無視できる、非磁化プラズマを目標としてきた。現在、次世代に必要とされる規模の均ープラズマを得つつある。一方、電子温度制御については、プラズマに局所空間構造を与えて電子温度を制御する手法を提案し、ピン付きホロー陰極のピン長変化またはグリッドのバイアス変化によって、通常数万度の電子温度を一桁、条件によっては二桁にわたり連続的に制御することに成功している。 |
| 抄録(英) | Our recent experiments are introduced, which have been performed on plasma production and control for next-stage materials processing. By means of ECR using a plane slotted antenna with permanent magnets and modified magnetron-typed RF discharge, we can produce uniform plasmas large enough for the next-stage materials processing, which are unmagnetized a little far from the region of the plasma production. Electron temperature can be controlled by providing a local structure in plasmas. We have established two methods of the electron-temperature control. The electron temperature can now be controlled in the wide range from a few eV to 0.3 or 0.03 eV, depending on the plasma condition. |
| キーワード(和) | プラズマプロセシング / 大口径均ープラズマ / 電子温度制御 |
| キーワード(英) | Plasma processing / Large-diameter uniform plasma / Electron-temperature control |
| 資料番号 | SDM96-113 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1996/11/1(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | プロセス用大口径プラズマの生成と制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Production and Control of Large-Diameter Plasmas for Materials Processing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | プラズマプロセシング / Plasma processing |
| キーワード(2)（和/英） | 大口径均ープラズマ / Large-diameter uniform plasma |
| キーワード(3)（和/英） | 電子温度制御 / Electron-temperature control |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 徳芳 / Noriyoshi Sato |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1996/11/1 |
| 資料番号 | SDM96-113 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 344 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |