エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1995/12/08)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]1995/12/8
[資料番号]
目次

,  

[発表日]1995/12/8
[資料番号]
SiGeソース構造によるSOI MOSFET基板浮遊効果の抑制 : SiGe構造パラメータ依存性

西山 彰,  有隅 修,  寺内 衛,  松澤 一也,  執行 直之,  吉見 信,  竹野 史郎,  鈴木 健,  

[発表日]1995/12/8
[資料番号]SDM95-184
ガス炎を用いた高温アニールによる多結晶シリコン薄膜の電気的特性及び構造

曲 偉峰,  小森 隆弘,  高木 健,  正木 裕一,  北川 章夫,  鈴木 正國,  

[発表日]1995/12/8
[資料番号]SDM95-185
BをドープしたSiナノ結晶 : ラマン、赤外分光法による物性評価

神澤 好彦,  藤井 稔,  林 真至,  山本 恵一,  

[発表日]1995/12/8
[資料番号]SDM95-186
多孔質シリコンから観測される半値幅の狭いフォトルミネセンス

古田 啓介,  岡本 充央,  大岩 孝,  八田 章光,  伊藤 利道,  平木 昭夫,  

[発表日]1995/12/8
[資料番号]SDM95-187
光CVD法による低温Siエピタキシャル成長における高濃度ドーピング及び接合の形成

金井 正和,  阿部 克也,  大島 隆文,  山田 明,  小長井 誠,  

[発表日]1995/12/8
[資料番号]SDM95-188
Al(001)/YSi2-x/Si(001)系における連続エピタキシャル成長

武山 真弓,  野矢 厚,  福田 朝之,  佐々木 克孝,  

[発表日]1995/12/8
[資料番号]SDM95-189
混成ソースAl-N_2O MBE法によるSi基板上への薄膜γ-Al_2O_3成長

和戸 弘幸,  清水 但美,  大谷 健太朗,  鄭 永哲,  石田 誠,  

[発表日]1995/12/8
[資料番号]SDM95-190
光導電減衰法による3C-SiC/Siの評価

田尻 寛享,  森田 祥嗣,  古賀 祥泰,  牧野 貴紀,  市村 正也,  宇佐 美晶,  

[発表日]1995/12/8
[資料番号]SDM95-191
金属/シリコン界面の再結合状態の非接触評価

牧野 貴紀,  市村 正也,  宇佐 美晶,  

[発表日]1995/12/8
[資料番号]SDM95-192
金属/4H-SiCショットキー障壁高さの精密決定

竹村 治,  伊藤 明,  木本 恒暢,  松波 弘之,  

[発表日]1995/12/8
[資料番号]SDM95-193
反応性クラスターイオンビームによるエッチング

豊田 紀章,  木谷 博昭,  松尾 二郎,  山田 公,  

[発表日]1995/12/8
[資料番号]SDM95-194
シリコンへのリンとボロンの同時注入によるリンの拡散の抑制

志賀 克哉,  横田 勝弘,  安藤 靖典,  松田 耕自,  渡辺 正則,  高木 俊宜,  高野 弘道,  熊谷 正夫,  

[発表日]1995/12/8
[資料番号]SDM95-195
ポリアトミッククラスターイオン注入による浅い接合形成

竹内 大輔,  豊田 紀章,  島田 規広,  松尾 二郎,  山田 公,  

[発表日]1995/12/8
[資料番号]SDM95-196
堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術工程が単純で将来の微細化に対応できる分離技術

小林 敏夫,  中山 諭,  三宅 雅保,  岡崎 幸夫,  猪川 洋,  

[発表日]1995/12/8
[資料番号]SDM95-197
金拡散シリコンダイオードにおける誘導性サセプタンス : S.R.H.統計が示す誘導性サセプタンス

寺野登 志夫,  谷口 ー郎,  

[発表日]1995/12/8
[資料番号]SDM95-198
層流方式光CVD装置により成膜されたアモルファスシリコン膜特性の解析

山口 鉄也,  飯田 義典,  古川 章彦,  石塚 芳樹,  野崎 秀俊,  

[発表日]1995/12/8
[資料番号]SDM95-199
ソース・ドレインにショットキー障壁接合を持つPoly-Si TFTの作製と評価

谷田 行庸,  服部 励治,  白藤 純嗣,  

[発表日]1995/12/8
[資料番号]SDM95-200
[OTHERS]

,  

[発表日]1995/12/8
[資料番号]