| 講演名 | 1995/12/8 ソース・ドレインにショットキー障壁接合を持つPoly-Si TFTの作製と評価 谷田 行庸, 服部 励治, 白藤 純嗣, |
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| 抄録(和) | ソース・ドレインにイットリウムシリサイド/poly-Siショットキー障壁接合を持つpoly-Si TFTの作製とその評価を行った。この構造のTFTはn+領域を持たず自己整合的にソース・ドレインを作製できるのでTFT ゲートアレー作製プロセスを簡略化でき、コストダウンをもたらす。また、我々はイットリウムシリサイドをp形の結晶シリコン(111)面に真空アニールによって作成し、その電圧-電流特性より最適アニール温度を調べた。作製したpoly-Si TFTはnチャンネルトランジスタ特性を示し、TFTフラットパネルディスプレィへの応用の可能性がある。 |
| 抄録(英) | Poly-Si TFT with Schottky Barrier Contacts composed of Yttrium silicide/poly-silicon at Source and Drain has been prepared. The structure of this TFT has no n+ region and the source and drain electrodes can be fabricated by a self-align process. This results in drastic reduction of the fabrication process of TFT gate-array and the large cost down. We also estimated the optimum annulling temperature from the current-voltage characteristics of Yttrium silicide/poly-silicon contacts formed on (111) surface of p-type crystalline silicon. The fabricated poly-Si TFT shows the n-channel transistor action and the probability of application to the TFT plat panel display. |
| キーワード(和) | ボリシリコン / 薄膜トランジスタ / イットリウム / シリサイド / ショットキー障壁 |
| キーワード(英) | poly-silicon / thin film transistor / Yttrium / silicide / Schottky barrier |
| 資料番号 | SDM95-200 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1995/12/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ソース・ドレインにショットキー障壁接合を持つPoly-Si TFTの作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation and Estimation of poly-Si TFT Empoying Schottky Barrier Contacts at Source and Drain |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ボリシリコン / poly-silicon |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin film transistor |
| キーワード(3)（和/英） | イットリウム / Yttrium |
| キーワード(4)（和/英） | シリサイド / silicide |
| キーワード(5)（和/英） | ショットキー障壁 / Schottky barrier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 谷田 行庸 / Yukinobu TANIDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学工学部電気工学科 Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 服部 励治 / Reiji HATTORI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学工学部電気工学科 Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 白藤 純嗣 / Junji SHIRAFUJI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学工学部電気工学科 Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Osaka University |
| 発表年月日 | 1995/12/8 |
| 資料番号 | SDM95-200 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 400 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |