| 講演名 | 1995/12/8 金拡散シリコンダイオードにおける誘導性サセプタンス : S.R.H.統計が示す誘導性サセプタンス 寺野登 志夫, 谷口 ー郎, |
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| 抄録(和) | 金を拡散させたシリコンダイオードの小信号応答は負のサセプタンス(誘導性サセプタンス)を示す.これは,金の準位を再結合中心とした再結合電流のアドミタンスでよく説明できる.今回,エネルギーバンドの曲がりを厳密に計算し, Shockley-Read-Hall統計に基づき再結合電流の交流信号応答から再結合過程におけるアドミタンスを求めた.その際に積分軸をエネルギー方向に変換することにより,再結合を律速するパラメータを計算することが可能になった.また,この計算結果と測定結果を比較検討した.その結果,金拡散シリコンダイオードの誘導性サセプタンス発生のメカニズムが明かになり,金を拡散させないシリコンダイオードの場合との違いが明かになった. |
| 抄録(英) | The Small signal responce of a gold diffused silicon diode indicates an inductive susceptance. It can be verified as the admittance of the recombination current with the deep level of gold as its recombination center. Here, the bend of the energy band has been precisely calculated and thus, by using the Shockley-Read-Hall statistics, the admittance of the recombination current has been detected. In doing so, by transferring the axis of integration to the axis of energy, it becomes possible to calculate the parameters which control the rate of recombination. As a result it has been found that the inductive susceptance of a gold diffused silicon diode and that of a non-gold diffused silicon diode are each a result of a different mechanism. |
| キーワード(和) | 金拡散 / 深い準位 / 誘導性サセプタンス / 小信号応答 / 再結合 |
| キーワード(英) | gold diffusion / deep level / inductive susceptance / small signal responce / recombination |
| 資料番号 | SDM95-198 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1995/12/8(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 金拡散シリコンダイオードにおける誘導性サセプタンス : S.R.H.統計が示す誘導性サセプタンス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Inductive Susceptance of Gold Diffused Silicon Diode : Inductive Susceptance Derived from Shockley-Read-Hall Statistics |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 金拡散 / gold diffusion |
| キーワード(2)（和/英） | 深い準位 / deep level |
| キーワード(3)（和/英） | 誘導性サセプタンス / inductive susceptance |
| キーワード(4)（和/英） | 小信号応答 / small signal responce |
| キーワード(5)（和/英） | 再結合 / recombination |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 寺野登 志夫 / Toshio TERANO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 同志社大学工学部 Faculty of Engineering, Doshisha University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 谷口 ー郎 / Ichiro TANIGUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 同志社大学工学部 Faculty of Engineering, Doshisha University |
| 発表年月日 | 1995/12/8 |
| 資料番号 | SDM95-198 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 400 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |