| 講演名 | 1995/12/8 金属/4H-SiCショットキー障壁高さの精密決定 竹村 治, 伊藤 明, 木本 恒暢, 松波 弘之, |
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| 抄録(和) | CVD法で成長した4H-SiC上に、真空蒸着によりショットキー障壁を形成し、その特性を解析した。ショットキー電極として、Au、Ni、Tiを用い、障壁高さをI-V、C-V、IPE(internal photoemission)特性から精密に評価した。3種類の測定法の内で、最も信頼性の高い測定法であるIPE特性から得られた障壁高さを、金属/4H-SiCの障壁高さと決定した。今回得られた値は、金属/6H-SiCの障壁高さより0.2～0.3V高い値であった。これは、4H-SiCと6H-SiCの禁制帯幅の差(0.3eV)を反映した結果と言える。また、金属/4H-SiCの障壁高さにはSi等に見られるピニング現象はなく、金属の仕事関数に強く依存することが分かった。さらに、障壁高さは面極性に依存し、C面上の方がSi面よりも0.2～0.3V高いことを明確にした。以上の結果を基に、界面層モデルを用いて、理論的に金属/4H-SiCの界面構造の解析を行った。 |
| 抄録(英) | Schottky barrier diodes were fabricated using CVD-grown 4H-SiC epitaxial layers. Schottky contacts were Au, Ni and Ti, respectively. Schottky barrier heights were measured by I-V, C-V characteristics and internal photoemission spectroscopy (IPE). Among 3 different methods, IPE is regarded as the most reliable method to obtain an exact barrier height, so that the values from IPE were taken as real barrier heights. The values obtained in this study were 0.2-0.3 V larger than the barrier heights for metal/6H-SiC Schottky structures reported previously. This result reflects the band-gap difference between 4H-SiC and 6H-SiC (0.3 eV). Besides, the barrier heights strongly depend on metal work function without barrier height pinning. The barrier heights for C-face were 0.2-0.3 V larger than those for Si-face. Based on the above results, a theoretical analysis was carried out for metal/4H-SiC interfacial structures using an interfacial-layer model. |
| キーワード(和) | SiC / ショットキー障壁 / internal photoemission |
| キーワード(英) | SiC / Schottky barrier / internal photoemission |
| 資料番号 | SDM95-193 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1995/12/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 金属/4H-SiCショットキー障壁高さの精密決定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Detailed Analysis of Metal/4H-SiC Schottky Barrier Height |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー障壁 / Schottky barrier |
| キーワード(3)（和/英） | internal photoemission / internal photoemission |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 竹村 治 / O. Takemura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学部 Dept. of Electronic Science and Eng., Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊藤 明 / A. Itoh |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学部 Dept. of Electronic Science and Eng., Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 木本 恒暢 / T. Kimoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学部 Dept. of Electronic Science and Eng., Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松波 弘之 / H. Matsunami |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学部 Dept. of Electronic Science and Eng., Kyoto University |
| 発表年月日 | 1995/12/8 |
| 資料番号 | SDM95-193 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 400 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |