| 講演名 | 1995/12/8 光CVD法による低温Siエピタキシャル成長における高濃度ドーピング及び接合の形成 金井 正和, 阿部 克也, 大島 隆文, 山田 明, 小長井 誠, |
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| 抄録(和) | 基板温度160℃～210℃においてSiH_4、H_2、SiH_2Cl_2、の混合ガスを用いた光CVD法により高濃度BドープSi薄膜のエピタキシャル成長を行った。as-grownの膜中Bは、ほぼ100%不活性化しており、成長後のアニールによりBは活性化するという現象を見いだした。また、ホール濃度は、アニール時間の2乗に比例して増加した。このBの不活性化は膜中Hに関係すると考えられる。これまで、アニール後のホール濃度として14×l0^<20>cm^<-3>という高い値を得ている。また、基板温度を210℃に上げることで、as-grownでのホール濃度を12×10^<18>cm^<-3>に引き上げることに成功している。さらに、高濃度にドーピングしたn形及びp形の低温Siエピタキシャル膜を用いて、n値1.35のpn接合が得られた。 |
| 抄録(英) | Heavily B-doped epitaxial Si films were grown by photo-CVD using a gas mixture of SiH_4, H_2, SiH_2Cl_2 and B_2H_6 in the substrate temperature range 160-210℃. It was found that B atoms in the as-grown films were almost 100% neutralized and that the B atoms were activated by annealing. The hole concentration increased in proportional to the square of the annealing time. The neutralization of B is considered to be related to H atoms in the films. Until now, a hole concentration of 1.4×10^<20>cm^<-3> has been obtained after annealing, and an as-grown epitaxial Si film with the hole concentration of 1.2×10^<18>cm^<-3> has been realized at the substrate temperature of 210℃. A pn junction with the n factor of 1.35 has been prepared by using the low-temperature epitaxy Si. |
| キーワード(和) | 光CVD法 / Siの低温エピタキシャル成長 / 高濃度Bドーピング / pn接合 |
| キーワード(英) | photo-CVD / low-temperature Si epitaxy / heavy B doping / pn junction |
| 資料番号 | SDM95-188 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1995/12/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光CVD法による低温Siエピタキシャル成長における高濃度ドーピング及び接合の形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Heavy Doping and Junction formation of Low-Temperature Epitaxial Si Films Grown by Photo-CVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光CVD法 / photo-CVD |
| キーワード(2)（和/英） | Siの低温エピタキシャル成長 / low-temperature Si epitaxy |
| キーワード(3)（和/英） | 高濃度Bドーピング / heavy B doping |
| キーワード(4)（和/英） | pn接合 / pn junction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金井 正和 / Masakazu Kanai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部 Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 阿部 克也 / Katsuya Abe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部 Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大島 隆文 / Takayuki Oshima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部 Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山田 明 / Akira Yamada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部 Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小長井 誠 / Makoto Konagai |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部 Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1995/12/8 |
| 資料番号 | SDM95-188 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 400 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |