エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2007/05/17)

タイトル/著者/発表日/資料番号
TiO_2:TiN混合ターゲットを用いたスパッタリングによるN添加TiO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

矢崎 達也,  永田 貴章,  高橋 崇宏,  江間 義則,  

[発表日]2007/5/17
[資料番号]ED2007-27,CPM2007-26,SDM2007-27
SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

小川 泰弘,  橋本 佳孝,  中村 篤志,  田中 昭,  天明 二郎,  

[発表日]2007/5/17
[資料番号]ED2007-28,CPM2007-27,SDM2007-28
歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

加藤 鷹紀,  酒井 良介,  谷奥 雅俊,  中川 靖英,  前田 義紀,  金 秀光,  渕 真悟,  山本 将博,  宇治原 徹,  中西 彊,  竹田 美和,  

[発表日]2007/5/17
[資料番号]ED2007-29,CPM2007-28,SDM2007-29
多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

池田 浩也,  田部 道晴,  

[発表日]2007/5/17
[資料番号]ED2007-30,CPM2007-29,SDM2007-30
複写される方へ

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[発表日]2007/5/17
[資料番号]
奥付

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[発表日]2007/5/17
[資料番号]
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