講演名 2007/5/17
歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
加藤 鷹紀, 酒井 良介, 谷奥 雅俊, 中川 靖英, 前田 義紀, 金 秀光, 渕 真悟, 山本 将博, 宇治原 徹, 中西 彊, 竹田 美和,
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抄録(和) 高偏極度・高量子効率の偏極電子源には半導体歪み起格子構造が有効である。我々は、さらなる量子効率の向上を目指し、歪み補償構造を採用することで結晶性の改善を行なった。その結果、量子効率は向上したが、逆に偏極度は減少した。起格子構造から電子が励起される場合、量子効率の励起光エネルギー依存性は状態密度を反映し、階段伏に変化する。 しかし、歪み補償構造においては、このような特徴が見られず、さらにバンド構造の計算などから考察したところ、偏極度減少の理由がバッファ層から低偏極度の電子の流入にあることがわかった。そこでバッファ層と超格子層の間に、障壁層を挟むことでバッファ層からの低偏極電子の流入を抑制したところ、偏極度改善の傾向が見られた。
抄録(英) Strained superlattice semiconductor is promising for a high performance spin-polarized photocathode. Previously, we prepared a strain compensated superlattice photocathode in order to increase quantum efficiency by the improvement of crystal quality. This structure showed a high quantum efficiency but a low polarization. When electrons are excited in the superlattice, the quantum efficiency increase, by step, corresponding to the density of states. However, in the strain compensated structure, the quantum efficiency monotonously increased. In addition, the calculated results of band structure indicated the mixture of low polarized electrons excited in the buffer layers reduces the polarization. So, we inserted a barrier layer between the buffer layer and the superlattice. Consequently, the polarization was improved.
キーワード(和) 偏極度 / 量子効率 / 歪み超格子構造 / 歪み補償構造
キーワード(英) Polarization / Quantum efficiency / Strained superlattice structure / strain compensated superlattice structure
資料番号 ED2007-29,CPM2007-28,SDM2007-29
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2007/5/17(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
サブタイトル(和)
タイトル(英) Improvement of spin-polarization of strain compensated GaAs/GaAsP superlattice for polarized electron source
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 偏極度 / Polarization
キーワード(2)(和/英) 量子効率 / Quantum efficiency
キーワード(3)(和/英) 歪み超格子構造 / Strained superlattice structure
キーワード(4)(和/英) 歪み補償構造 / strain compensated superlattice structure
第 1 著者 氏名(和/英) 加藤 鷹紀 / Takanori KATO
第 1 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Nagoya University
第 2 著者 氏名(和/英) 酒井 良介 / Ryosuke SAKAI
第 2 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院理学研究科
Graduate School of Science, Nagoya University
第 3 著者 氏名(和/英) 谷奥 雅俊 / Masatoshi TANIOKU
第 3 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Nagoya University
第 4 著者 氏名(和/英) 中川 靖英 / Yasuhide NAKAGAWA
第 4 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院理学研究科
Graduate School of Science, Nagoya University
第 5 著者 氏名(和/英) 前田 義紀 / Yoshiki MAEDA
第 5 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Nagoya University
第 6 著者 氏名(和/英) 金 秀光 / Xiuguang JIN
第 6 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Nagoya University
第 7 著者 氏名(和/英) 渕 真悟 / Shingo FUCHI
第 7 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Nagoya University
第 8 著者 氏名(和/英) 山本 将博 / Masahiro YAMAMOTO
第 8 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院理学研究科
Graduate School of Science, Nagoya University
第 9 著者 氏名(和/英) 宇治原 徹 / Toru UJIHARA
第 9 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Nagoya University
第 10 著者 氏名(和/英) 中西 彊 / Tsutomu NAKANISHI
第 10 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院理学研究科
Graduate School of Science, Nagoya University
第 11 著者 氏名(和/英) 竹田 美和 / Yoshikazu TAKEDA
第 11 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Nagoya University
発表年月日 2007/5/17
資料番号 ED2007-29,CPM2007-28,SDM2007-29
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 56
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日