講演名 2007/5/17
TiO_2:TiN混合ターゲットを用いたスパッタリングによるN添加TiO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
矢崎 達也, 永田 貴章, 高橋 崇宏, 江間 義則,
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抄録(和) TiO_2とTiNの粉末混合ターゲットを用いて、スパッタリング法でN添加アナターゼ型TiO_2薄膜を作製した。TiO_2に対するTiNの比率として、4/10、1/10、1/50のターゲットを用い、スパッタリング電力、圧力、基板温度を変えて成膜し、その結晶性等をX線回折、分光透過率、AFM等により調べた。スパッタリング電力が150W以上で多結晶N添加TiO_2膜が得られた。N添加により可視域での吸収が認められた。TiNの混合比が1/50の試料では、膜中のN量は約4%であり、アナターゼ型TiO_2(004)配向が優勢となった。基板温度が300℃と高い試料でルチル型TiO_2が認められた。水の接触角測定、メチルレッドメチレンブルー溶液の分解より、光触媒性を確認できた。
抄録(英) N-doped anatase TiO_2 thin films have been formed by sputtering using TiO_2:TiN target on Corning 1737 glass. Structural properties of the films were measured by X-ray diffraction, transmittance and AFM etc. N-doped TiO_2 films were obtained on the condition over 150W sputtering power. These films show absorption in the visible light region. Rutile-type structure was mixed in the films preparde at 300℃ substrate temperature. Photo catalytic properties were observed by the contact angle of water and the degradation of methyl redmethylene blue solution.
キーワード(和) TiO_2 / TiN / スパッタリング法 / N添加アナターゼ型TiO_2 / 光触媒
キーワード(英) TiO_2 / TiN / N-doped TiO_2 / photo catalytic properties / anatase TiO_2
資料番号 ED2007-27,CPM2007-26,SDM2007-27
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2007/5/17(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) TiO_2:TiN混合ターゲットを用いたスパッタリングによるN添加TiO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
サブタイトル(和)
タイトル(英) Preparation of N-doped TiO_2 Thin Films by Sputtering Using TiO_2 : TiN Mixed Target
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) TiO_2 / TiO_2
キーワード(2)(和/英) TiN / TiN
キーワード(3)(和/英) スパッタリング法 / N-doped TiO_2
キーワード(4)(和/英) N添加アナターゼ型TiO_2 / photo catalytic properties
キーワード(5)(和/英) 光触媒 / anatase TiO_2
第 1 著者 氏名(和/英) 矢崎 達也 / Tatsuya YAZAKI
第 1 著者 所属(和/英) 静岡大学大学院理工学研究科
Graduate School of Science and Engineering, Shizuoka University
第 2 著者 氏名(和/英) 永田 貴章 / Takaaki NAGATA
第 2 著者 所属(和/英) 静岡大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University
第 3 著者 氏名(和/英) 高橋 崇宏 / Takahiro TAKAHASHI
第 3 著者 所属(和/英) 静岡大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University
第 4 著者 氏名(和/英) 江間 義則 / Yoshinori EMA
第 4 著者 所属(和/英) 静岡大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University
発表年月日 2007/5/17
資料番号 ED2007-27,CPM2007-26,SDM2007-27
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 56
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日