| 講演名 | 2007/5/17 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 池田 浩也, 田部 道晴, |
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| 抄録(和) | 二次元多重ドットトランジスタによる単電子転送動作について,クーロンブロッケード現象の原理に基づいたシミュレーションを用いて調べた.ドット構造の不均一性(ランダム性)は,等価回路におけるゲート容量に取り入れた.その結果,交流ゲート電圧1周期当たりにソースからドレインへ1個の電子が移動する『ターンスタイル動作』が,ランダム多重ドットトランジスタにより起こりうることを明らかにした。さらにゲート容量のランダム性の度合いが増加すると,ターンスタイル動作を起こす電圧条件(ゲートおよびドレイン電圧)が緩くなることが示された.従って,ランダム多重ドットトランジスタは,ターンスタイルデバイスとして期待できる. |
| 抄録(英) | We have numerically studied the single-charge transfer operation by two-dimensional (2D) random-multidot-channel field-effect transistors (FETs) using orthodox theory of the Coulomb blockade phenomenon. The randomness of the multidot structure is reflected in the gate capacitance (C_g) in the equivalent circuit, embodying the dot-size disorder of the realistic devices. It was found that "turnstile operation" meaning that individual electron is transferred one by one from the source to the drain with a cycle of an alternating gate voltage can be performed in both random and homogeneous 2D multidot-channel FETs. By increasing the C_g randomness, some devices show that the average gate and drain bias condition which allows the turnstile operation is more relaxed. Consequently, the random-mulidot-channel FET can work as a single-electron turnstile device. |
| キーワード(和) | ランダム多重ドットトランジスタ / クーロンブロッケード / 単電子トンネル / ターンスタイル動作 |
| キーワード(英) | Random-multidot-channel FET / Coulomb blockade phenomenon / Single-electron tunneling / Turnstile operation |
| 資料番号 | ED2007-30,CPM2007-29,SDM2007-30 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/5/17(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Numerical Study of Turnstile Operation by Multidot-Channel FET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ランダム多重ドットトランジスタ / Random-multidot-channel FET |
| キーワード(2)（和/英） | クーロンブロッケード / Coulomb blockade phenomenon |
| キーワード(3)（和/英） | 単電子トンネル / Single-electron tunneling |
| キーワード(4)（和/英） | ターンスタイル動作 / Turnstile operation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 池田 浩也 / Hiroya IKEDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田部 道晴 / Michiharu TABE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2007/5/17 |
| 資料番号 | ED2007-30,CPM2007-29,SDM2007-30 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 56 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |