| 講演名 | 2007/5/17 SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 小川 泰弘, 橋本 佳孝, 中村 篤志, 田中 昭, 天明 二郎, |
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| 抄録(和) | アモルファスSiC薄膜の熱分解によるカーボンナノ構造形成を行なった。アモルファスSiC薄膜はヘキサメチルジシラン(HMDS)を原料に用い、水素プラズマによるリモートプラズマ励起化学気相堆積法(RPE-CVD)により成長した。 SiC薄膜成長において成長温度を増加させ、かつ、成長圧力を増加させたところ、750℃、0.07TorrにおいてSi-C結合ピークが増大することがFT-IRスペクトルから明らかになった。得られたアモルファスSiCを用いて熱分解法によりカーボンナノ構造生成を行い、グラファイトの生成を確認した。グラファイトの生成において、SiC薄膜の成長温度増加、及び熱分解時の水素添加によりラマンシフトのG/D比が減少し、グラファイトの形成量の減少を確認した。 |
| 抄録(英) | Carbon nano-structure was prepared by thermal decompotision using amorphous SiC film. The SiC films were grown by Remote Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(RPE-CVD) using HMDS. It was clear FT-IR absorption peak of Si-C bond is incresae at 750℃ and 0.07Torr. Carbon nano-structure was prepared by thermal decompotision using amorphous SiC film by RPE-CVD,and graphite was prepared.Prepared graphite was decreased by rising substrate temperature and flowing hydorogen at theramal decomposition. |
| キーワード(和) | リモートプラズマ励起CVD / SiC / SiC熱分解法 / グラファイト |
| キーワード(英) | RPE-CVD / SiC / Thermal Decompotsition on SiC / graphite |
| 資料番号 | ED2007-28,CPM2007-27,SDM2007-28 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/5/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of SiC film and carbon nano-structure by thermal deposition with hydrogen |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | リモートプラズマ励起CVD / RPE-CVD |
| キーワード(2)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(3)（和/英） | SiC熱分解法 / Thermal Decompotsition on SiC |
| キーワード(4)（和/英） | グラファイト / graphite |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小川 泰弘 / Yasuhiro Ogawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 橋本 佳孝 / Yoshitaka Hashimoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中村 篤志 / Atushi Nakamura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田中 昭 / Akira Tanaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 天明 二郎 / Jiro Temmyo |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2007/5/17 |
| 資料番号 | ED2007-28,CPM2007-27,SDM2007-28 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 56 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |