エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2005/05/20)

タイトル/著者/発表日/資料番号
CS-MBE法によるGaN薄膜の製作とカソードルミネッセンス(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

本田 徹,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-52,CPM2005-44,SDM2005-52
サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

岡留 由真,  古川 寛子,  土屋 陽祐,  川島 毅士,  井村 将隆,  仲野 靖孝,  本塩 彰,  津田 道信,  岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-53,CPM2005-45,SDM2005-53
MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

古川 寛子,  岡留 由真,  土屋 陽祐,  本塩 彰,  津田 道信,  岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-54,CPM2005-46,SDM2005-54
ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

渡辺 英樹,  加藤 正史,  市村 正也,  荒井 英輔,  兼近 将一,  藤島 修,  加地 徹,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-55,CPM2005-47,SDM2005-55
顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

三島 俊介,  浅井 利浩,  春日井 秀紀,  本塩 彰,  三宅 泰人,  飯田 一喜,  川島 毅士,  岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  若山 雅文,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-56,CPM2005-48,SDM2005-56
CBE法によるH^*を用いたGaNAs結晶成長及びGaInNAs/GaAs量子井戸のRTA効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

三戸 一矢,  山森 雅之,  石川 博康,  江川 孝志,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-57,CPM2005-49,SDM2005-57
複写される方へ

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[発表日]2005/5/20
[資料番号]
Notice about photocopying

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[発表日]2005/5/20
[資料番号]
奥付

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[発表日]2005/5/20
[資料番号]
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