| 講演名 | 2005/5/20 ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 渡辺 英樹, 加藤 正史, 市村 正也, 荒井 英輔, 兼近 将一, 藤島 修, 加地 徹, |
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| 抄録(和) | 窒化ガリウム(GaN)は大きなバンドギャップを持つ半導体であり、光デバイスにおいて実用化されているが、電子デバイスへの応用も期待されている。半導体材料において過剰キャリアライフタイムはデバイス性能に影響を与える重要なパラメーターの1つである。そこで、本研究ではGaNの過剰キャリアライフタイム(以下、ライフタイム)をマイクロ波光導電減衰(μ-PCD)法を用いて測定した。測定試料にはn-GaN, undoped GaN, p-GaNを用い、それらに対してドライエッチング法の1つであるICP(Inductively Coupled Plasma)処理を施した試料も測定した。すべての試料において、キャリアの減衰曲線に速い成分と遅い成分に分かれていた。また、p-GaNは他の試料に比ベライフタイムが短かった。ICP処理は、as-grownに対してundoped GaNにおいてライフタイムを増加させ、p-GaNにおいてはライフタイムを減少させた。 |
| 抄録(英) | Gallium nitride (GaN) is a semiconductor material with large band-gap. It has already been put to practical use for optelectronic devices, and it is also promising for electronic devices. The excess carrier lifetime is an important parameter for semiconductor materials and affects performance of devices. In this study we have measured the excess carrier lifetime in GaN with the microwave photoconductivity decay (μ-PCD) method. We have measured n-GaN, undoped GaN, and p-GaN, and have also measured samples etched by inductively coupled plasma (ICP). For all the samples decay curves had both the fast component and the slow component. Lifetimes for the p-GaN were shorter than these for the other samples. For the undoped GaN the ICP etching increased the lifetime, while, for p-GaN, the ICP etching decreased the lifetime compared with the lifetimes for the as-grown samples. |
| キーワード(和) | 窒化ガリウム / キャリアライフタイム / μ-PCD法 / 減衰曲線 |
| キーワード(英) | Gallium nitride / lifetime / μ-PCD method / ICP / decay curve |
| 資料番号 | ED2005-55,CPM2005-47,SDM2005-55 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Excess carrier lifetime measurement in GaN etched by ICP with the μ-PCD method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / Gallium nitride |
| キーワード(2)（和/英） | キャリアライフタイム / lifetime |
| キーワード(3)（和/英） | μ-PCD法 / μ-PCD method |
| キーワード(4)（和/英） | 減衰曲線 / ICP |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡辺 英樹 / Hideki Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / Masashi Kato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 荒井 英輔 / Eisuke Arai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 兼近 将一 / Masakazu Kanechika |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central R&D Labs., Inc. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 藤島 修 / Osamu Fujishima |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central R&D Labs., Inc. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 加地 徹 / Tetsu Kachi |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central R&D Labs., Inc. |
| 発表年月日 | 2005/5/20 |
| 資料番号 | ED2005-55,CPM2005-47,SDM2005-55 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 94 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |