| 講演名 | 2005/5/20 CBE法によるH^*を用いたGaNAs結晶成長及びGaInNAs/GaAs量子井戸のRTA効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 三戸 一矢, 山森 雅之, 石川 博康, 江川 孝志, |
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| 抄録(和) | 半導体に対して水素が様々な影響を及ぼすことは、以前から知られている。例えば、アモルファスシリコンのダングリングボンドの終端、Si/SiO_2における界面順位の低減、半導体中のドナー、アクセプタ電気的不活性化、Si結晶表面の平坦化などが挙げられる。GaNAs結晶においてもH_2高温クラッキングによって生成された原子状H(H^*)を成長中に供給することで三次元成長抑制に効果を持つことが報告されている。今実験では高温クラッキング(1000℃)によるH^*ではなくRFプラズマセルにより生成されたH^*をCBE法によって作製したGaNAs結晶に供給しその結晶性について評価を行った。また同様にして作製したGaInNAs/GaAs量子井戸について、非発光中心を低減させる為にRTA(Rapid Thermal Annealing)処理を行いその効果についても調査を行った。 |
| 抄録(英) | The effect on GaNAs of atomic H generated by using cracking cell is reported. In this experiment, we investigate the effect on GaNAs of atomic H generated by using RF-plasma. |
| キーワード(和) | RFプラズマ |
| キーワード(英) | CBE / GaNAs / GaInNAs / RTA / RF-plasma |
| 資料番号 | ED2005-57,CPM2005-49,SDM2005-57 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CBE法によるH^*を用いたGaNAs結晶成長及びGaInNAs/GaAs量子井戸のRTA効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of GaNAs by using atomic hydrogen generated by using RF-plasma : Growth of GaNAs by using atomic hydrogen and effect on GaInNAs/GaAs QW of RTA |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | RFプラズマ / CBE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三戸 一矢 / Kazuya MITO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山森 雅之 / Masayuki YAMAMORI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / Hiroyasu ISHIKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システムセンター Nagoya Institute Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システムセンター Nagoya Institute Technology |
| 発表年月日 | 2005/5/20 |
| 資料番号 | ED2005-57,CPM2005-49,SDM2005-57 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 94 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |