| 講演名 | 2005/5/20 サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 岡留 由真, 古川 寛子, 土屋 陽祐, 川島 毅士, 井村 将隆, 仲野 靖孝, 本塩 彰, 津田 道信, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇, |
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| 抄録(和) | R面サファイア基板上に、MOVPE法を用い、高速成長とELOを組み合わせて、高品質なA面GaNを得た。 |
| 抄録(英) | High-quality A-plane GaN on R-plane sapphire substrate was grown by metalorganic vapor phase epitaxy under the high growth rate condition with the combination of epitaxial lateral overgrowth technique. |
| キーワード(和) | R面サファイア / 高速成長 |
| キーワード(英) | GaN / R-plane sapphire / MOVPE / High growth rate |
| 資料番号 | ED2005-53,CPM2005-45,SDM2005-53 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of low dislocation density GaN grown on sapphire R-plane substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | R面サファイア / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 高速成長 / R-plane sapphire |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡留 由真 / Yoshizane Okadome |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 古川 寛子 / Hiroko Furukawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 土屋 陽祐 / Yousuke Tsuchiya |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 川島 毅士 / Takeshi Kawashima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 井村 将隆 / Masataka Imura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 仲野 靖孝 / Kiyotaka Nakano |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 本塩 彰 / Akira Honshio |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 津田 道信 / Michinobu Tsuda |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー:京セラ株式会社単結晶事業部 Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi Amano |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu Akasaki |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 発表年月日 | 2005/5/20 |
| 資料番号 | ED2005-53,CPM2005-45,SDM2005-53 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 94 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |