エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：2010/01/06)

タイトル/著者/発表日/資料番号
InPによるPVT補償回路付き擬似正弦波関数発生器 : ベクトル合成型移相器の線形制御のために(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

野坂 秀之,  長谷 宗彦,  山中 祥吾,  佐野 公一,  村田 浩一,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]ED2009-192,MW2009-175
低電圧・広帯域動作CDMA用HBT電力増幅器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

山本 和也,  岡村 篤司,  松塚 隆之,  吉井 泰,  鈴木 敏,  中山 正敏,  紫村 輝之,  吉田 直人,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]ED2009-193,MW2009-176
50%比帯域を有するX帯高耐電力GaN HEMT T/Rスイッチ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

半谷 政毅,  垂井 幸宣,  加茂 宣卓,  檜枝 護重,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]ED2009-194,MW2009-177
WLCSP技術を用いた次世代通信向け高性能・低コストMMICの開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

藤田 清次,  今川 昌樹,  佐藤 富雄,  徳満 恒雄,  長谷川 裕一,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]ED2009-195,MW2009-178
複写される方へ

,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]
奥付

,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]
<<12 21-26hit(26hit)