| 講演名 | 2010-01-15 InPによるPVT補償回路付き擬似正弦波関数発生器 : ベクトル合成型移相器の線形制御のために(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 野坂 秀之, 長谷 宗彦, 山中 祥吾, 佐野 公一, 村田 浩一, |
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| 抄録(和) | 単一電圧制御かつ線形性の優れた制御特性を持つベクトル合成型移相器を実現するためには,擬似正弦波関数を発生するアナログ電圧-電圧変換回路が必要となる.PVT補償機能を備えた疑似正弦波発生回路をInP HBTにより実現したので報告する.本回路と直交変調器を組み合わせることで,移相量810°のベクトル合成型移相器を実現できる. |
| 抄録(英) | A pseudo-sinusoidal generator is needed to realize a voltage-controlled vector-sum phase shifter that has linear phase control. This report describes a pseudo-sinusoidal generator with a PVT compensation circuit using InP HBTs. A vector-sum phase shifter can be realized by combining this pseudo-sinusoidal generator and a vector modulator. |
| キーワード(和) | 正弦波 / PVT補償 / InP / ベクトル変調器 / ベクトル合成 / 移相器 |
| キーワード(英) | Sinusoidal / PVT Compensation / InP / Vector Modulator / Vector Sum / Phase Shifter |
| 資料番号 | ED2009-192,MW2009-175 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2010/1/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InPによるPVT補償回路付き擬似正弦波関数発生器 : ベクトル合成型移相器の線形制御のために(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Pseudo Sinusoidal Generator with PVT Compensation Circuit using InP HBTs : For Linear Control of Vector-Sum Phase Shifter |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 正弦波 / Sinusoidal |
| キーワード(2)（和/英） | PVT補償 / PVT Compensation |
| キーワード(3)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(4)（和/英） | ベクトル変調器 / Vector Modulator |
| キーワード(5)（和/英） | ベクトル合成 / Vector Sum |
| キーワード(6)（和/英） | 移相器 / Phase Shifter |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野坂 秀之 / Hideyuki NOSAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 長谷 宗彦 / Munehiko NAGATANI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山中 祥吾 / Shogo YAMANAKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話(株)NTT未来ねっと研究所 NTT Network Innovation Laboratories, NTT Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐野 公一 / Kimikazu SANO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 村田 浩一 / Koichi Murata |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2010-01-15 |
| 資料番号 | ED2009-192,MW2009-175 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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