| 講演名 | 2010-01-15 50%比帯域を有するX帯高耐電力GaN HEMT T/Rスイッチ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 半谷 政毅, 垂井 幸宣, 加茂 宣卓, 檜枝 護重, |
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| 抄録(和) | X帯において50%の比帯域を有する高耐電力T/Rスイッチを開発した.本回路はSeries/Shunt-Shunt併用形構成を元にしており,これに広帯域化変成回路を備えたものである.本構成によれば,Series/Shunt-Shunt併用形スイッチの高耐電力・低損失性を維持しつつ,受信時の広帯域化を図ることが可能になる.提案する回路の有効性を検証するために,X帯T/RスイッチをGaN HEMTを用いて試作した.その結果,X帯比帯域50%において,送信時耐電力20W以上で挿入損失1.2dB以下,受信時挿入損失1.8dB以下の良好な特性が実現できた. |
| 抄録(英) | An X-band high-power T/R switch with bandwidth extension circuit has been developed. The proposed circuit is based on series/shunt-shunt configuration, and realizes broadband performance at Rx-mode while keeping high-power handling capability and low insertion loss. To verify this methodology, we have fabricated an T/R switch using GaN HEMT. The switch circuit has achieved the power handling capability of 20W, the insertion loss of 1.2dB at Tx-mode, and the insertion loss of 1.7dB at Rx-mode in the 50% bandwidth of X-band. |
| キーワード(和) | T/Rスイッチ / 高耐電力 / 広帯域化 / GaN HEMT |
| キーワード(英) | T/R switch / High-power handling capability / bandwidth extension circuit / GaN HEMT |
| 資料番号 | ED2009-194,MW2009-177 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2010/1/6(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 50%比帯域を有するX帯高耐電力GaN HEMT T/Rスイッチ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An X-band GaN HEMT T/R Switch with 50% Bandwidth |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | T/Rスイッチ / T/R switch |
| キーワード(2)（和/英） | 高耐電力 / High-power handling capability |
| キーワード(3)（和/英） | 広帯域化 / bandwidth extension circuit |
| キーワード(4)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 半谷 政毅 / Masatake HANGAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 垂井 幸宣 / Yukinobu TARUI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社鎌倉製作所 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 加茂 宣卓 / Yoshitaka KAMO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 檜枝 護重 / Morishige Hieda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2010-01-15 |
| 資料番号 | ED2009-194,MW2009-177 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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