| 講演名 | 2010-01-15 低電圧・広帯域動作CDMA用HBT電力増幅器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) 山本 和也, 岡村 篤司, 松塚 隆之, 吉井 泰, 鈴木 敏, 中山 正敏, 紫村 輝之, 吉田 直人, |
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| 抄録(和) | 本報告では,CDMA用に開発した低電圧・広帯域動作HBT電力増幅器(PA)の設計及び実験結果について述べる.本PAは,コレクタ電源電圧(Vcc)2.8V,基準電圧(Vref)を含むその他のバイアス電源電圧2.5Vの低電圧動作と824～925MHzの広帯域動作を特徴とする.またVcc=2.8V,出力電力(Pout)28dBm動作に加えて,Vcc=1.1V,Pout=18dBm動作を実現するために,Vccに応じてアイドル電流を切り替えるステップ電流制御回路を内蔵している.試作したPAは,824～925MHzの広帯域且つVcc=2.8/1.1V,Vref=2.5Vの低電圧バイアス条件において,J-/W-CDMAに要求される隣接チャネル及び次隣接チャネル漏洩電力抑圧比(ACPR,NACPR)をPout=28/18dBmで満足するだけでなく,-20～+85℃の広い温度範囲に亘って満足する.周波数824MHzのJ-CDMA変調信号測定では,Vcc=2.8V時にPout=28dBm,利得27.7dB,ACPR(900KHz離調)<-50.5dBc,NACPR(1.98MHz離調)<-58dBc,効率36%を,Vcc=1.1V時にはPout=18dBm,効率23%が得られた.また周波数824MHz,Vcc=2.8V,W-CDMA(R99)変調信号測定では,Pout=29dBm,利得27.6dB,効率38%,ACLR<-44dBc,NACLR<-57dBcという良好な特性が得られた. |
| 抄録(英) | This paper describes circuit design and measurement results of an HBT MMIC power amplifier module(PA)operating with a 2.5-V low reference voltage(Vref)and 2.8-V low collector supply voltages(V_ |
| キーワード(和) | 電力増幅器 / ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBTs) / MMIC / CDMA |
| キーワード(英) | Power amplifiers / heterojunction bipolar transistors(HBTs) / MMIC / CDMA |
| 資料番号 | ED2009-193,MW2009-176 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2010/1/6(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低電圧・広帯域動作CDMA用HBT電力増幅器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Low-Voltage, Broadband Operation HBT Power Amplifier for CDMA Applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電力増幅器 / Power amplifiers |
| キーワード(2)（和/英） | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBTs) / heterojunction bipolar transistors(HBTs) |
| キーワード(3)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(4)（和/英） | CDMA / CDMA |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山本 和也 / Kazuya YAMAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機高周波光デバイス製作所 High Frequency and Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岡村 篤司 / Atsushi OKAMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機高周波光デバイス製作所 High Frequency and Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松塚 隆之 / Takayuki MATSUZUKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機高周波光デバイス製作所 High Frequency and Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 吉井 泰 / Yutaka YOSHII |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機高周波光デバイス製作所 High Frequency and Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 鈴木 敏 / Satoshi SUZUKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機高周波光デバイス製作所 High Frequency and Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中山 正敏 / Masatoshi NAKAYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機高周波光デバイス製作所 High Frequency and Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 紫村 輝之 / Teruyuki SHIMURA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機高周波光デバイス製作所 High Frequency and Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 吉田 直人 / Naohito YOSHIDA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 三菱電機高周波光デバイス製作所 High Frequency and Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2010-01-15 |
| 資料番号 | ED2009-193,MW2009-176 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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