情報・システム-画像工学(開催日:2023/08/01)

タイトル/著者/発表日/資料番号
[招待講演]短チャネルバルクMOSFETsの極低温動作時に生じる低周波ノイズの起源

稲葉 工(産総研),  岡 博史(産総研),  浅井 栄大(産総研),  更田 裕司(産総研),  飯塚 将太(産総研),  加藤 公彦(産総研),  下方 駿佑(産総研),  福田 浩一(産総研),  森 貴洋(産総研),  

[発表日]2023-08-01
[資料番号]SDM2023-40,ICD2023-19
[招待講演]最先端CMOSプロセスを適用した小型高分解能サイクリックA/D変換器の開発

大島 俊(日立),  山本 敬亮(日立),  小野 豪一(日立),  

[発表日]2023-08-01
[資料番号]SDM2023-35,ICD2023-14
高圧水素アニールによるSi (110)面 n-MOSFETの極低温特性改善

下方 駿佑(慶大/産総研),  岡 博史(産総研),  稲葉 工(産総研),  飯塚 将太(産総研),  加藤 公彦(産総研),  森 貴洋(産総研),  

[発表日]2023-08-01
[資料番号]SDM2023-41,ICD2023-20
[招待講演]低消費電力センサと無線技術の研究動向

道正 志郎(東工大),  石原 昇(東工大),  伊藤 浩之(東工大),  

[発表日]2023-08-01
[資料番号]SDM2023-39,ICD2023-18
クライオ200nmSOIMOSFETの基板バイアス効果および履歴現象の解析

李 龍聖(金沢工大),  森 貴之(金沢工大),  岡 博史(産総研),  森 貴洋(産総研),  井田 次郎(金沢工大),  

[発表日]2023-08-01
[資料番号]SDM2023-42,ICD2023-21
量子コンピュータ向けフリップチップシリコンインターポーザの極低温評価

田口 美里(神戸大),  高橋 亮蔵(神戸大),  加藤 薫子(日立),  楠野 順弘(日立),  三木 拓司(神戸大),  永田 真(神戸大),  

[発表日]2023-08-01
[資料番号]SDM2023-37,ICD2023-16
[招待講演]低電力半導体技術の研究開発と応用の拡大

石橋 孝一郎(電通大),  

[発表日]2023-08-01
[資料番号]SDM2023-38,ICD2023-17
量子デバイスの環境モニタリングに向けた極低温AD変換器の検討

山田 友弥(神戸大),  髙橋 亮蔵(神戸大),  三木 拓司(神戸大),  永田 真(神戸大),  

[発表日]2023-08-01
[資料番号]SDM2023-36,ICD2023-15
1W/8R 20T SRAMコードブックメモリによる深層学習プロセッサの主記憶帯域削減

大原 遼太郎(神戸大),  加太 雅也(神戸大),  太地 正和(神戸大),  福永 篤(神戸大),  安田 祐人(神戸大),  濱邉 理玖(神戸大),  和泉 慎太郎(神戸大),  川口 博(神戸大),  

[発表日]2023-08-02
[資料番号]SDM2023-44,ICD2023-23
[招待講演]10Gbps/Wのネットワークルーティング、40ms CANバス 起動および1.4mWの待機電力を実現する 33k DMIPS・6.4W車載コミュニケーションゲートウェイプロセッサ

島田 健市(ルネサス エレクトロニクス),  佐野 啓一郎(ルネサス エレクトロニクス),  福岡 一樹(ルネサス エレクトロニクス),  森田 浩史(ルネサス エレクトロニクス),  大東 正行(ルネサス エレクトロニクス),  亀井 達也(ルネサス エレクトロニクス),  浜崎 博幸(ルネサス エレクトロニクス),  島崎 靖久(ルネサス エレクトロニクス),  

[発表日]2023-08-02
[資料番号]SDM2023-43,ICD2023-22
[招待講演]原子層堆積法によるInGaOチャネルとInSnO電極によるナノシート酸化物半導体トランジスタ

小林 正治(東大),  日掛 凱斗(東大),  李 卓(東大),  ハオ ジュンシャン(東大),  パンディ チトラ(東大),  更屋 拓哉(東大),  平本 俊郎(東大),  高橋 崇典(奈良先端大),  上沼 睦典(奈良先端大),  浦岡 行治(奈良先端大),  

[発表日]2023-08-02
[資料番号]SDM2023-45,ICD2023-24
[招待講演]先端ロジック集積回路向けデバイスの最新技術動向

若林 整(東工大),  

[発表日]2023-08-02
[資料番号]SDM2023-46,ICD2023-25
センサ・回路設計の共通プラットフォーム素子としての多端子MOSFET

原田 知親(山形大),  

[発表日]2023-08-02
[資料番号]SDM2023-47,ICD2023-26
[招待講演]二次元原子層材料デバイスの現状課題と開発展望

長汐 晃輔(東大),  

[発表日]2023-08-03
[資料番号]SDM2023-48,ICD2023-27
Gate Driver IC with Fully Integrated Overcurrent Protection Function by Measuring Gate-to-Emitter Voltage

Haifeng Zhang(東大),  Dibo Zhang(東大),  Hiromu Yamasaki(東大),  Katsuhiro Hata(東大),  Keiji Wada(Tokyo Metropolitan Univ.),  Kan Akatsu(横浜国大),  Ichiro Omura(Kyusyu Institute of Technology),  Makoto Takamiya(東大),  

[発表日]2023-08-03
[資料番号]SDM2023-53,ICD2023-32
Real-Time Gate Current Change Gate Driver IC to Adapt to Operating Condition Variations of SiC MOSFETs

Dibo Zhang(東大),  Kohei Horii(東大),  Katsuhiro Hata(東大),  Makoto Takamiya(東大),  

[発表日]2023-08-03
[資料番号]SDM2023-52,ICD2023-31
[招待講演]ビットコスト低減と持続可能性に向けた極低温7ビットセルフラッシュメモリの回復アニールによる再生利用

饗場 悠太(キオクシア),  田中 瞳(キオクシア),  菊島 史恵(キオクシア),  田中 洋毅(キオクシア),  藤澤 俊雄(キオクシア),  向田 秀子(キオクシア),  佐貫 朋也(キオクシア),  

[発表日]2023-08-03
[資料番号]SDM2023-49,ICD2023-28
[招待講演]パワーデバイス用負荷適応型アクティブゲートドライバ集積回路の研究開発

川井 秀介(東芝),  上野 武司(東芝),  高谷 聡(東芝),  宮崎 耕太郎(東芝),  鬼塚 浩平(東芝欧州社),  石原 寛明(東芝),  

[発表日]2023-08-03
[資料番号]SDM2023-51,ICD2023-30
[招待講演]エネルギーの場,コンピューターのカタチ

三浦 典之(阪大),  

[発表日]2023-08-03
[資料番号]SDM2023-50,ICD2023-29