| 講演名 | 2023-08-01 ［招待講演］低電力半導体技術の研究開発と応用の拡大 石橋 孝一郎(電通大), |
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| 抄録(和) | ムーアにより集積回路の集積度は1959年を起点に64年の間２年で２倍の向上を果たしてきた．発表者は1980年に卒研で集積回路の研究を初め、それ以来43年間半導体デバイスの研究、LSI設計、LSI向け低電力技術開発、および、低電力半導体の応用技術の研究開発に取り組んできた．すなわちムーアの法則のほぼ2/3の期間を低電力半導体技術の研究開発に携わってきたことになる．本講演では、これらの43年間の低電力半導体技術の研究開発を振り帰り、恩師や共に開発に携わった方々やそれぞれの研究開発の紹介をエピソードと産業的な意義を交えながら述べていく． |
| 抄録(英) | LSI density has been doubling every two years for 64 years, since Moore’s law started in 1959. The presenter began researching integrated circuits in his graduation research in 1980. Since then, he has worked on research and development of semiconductor devices, LSI design, low-power technology development for LSI, and applied technology of low-power semiconductors for 43 years. In other words, he spent almost two-thirds of Moore's law period in research and development of low-power semiconductor technology. In this lecture, he will look back on the research and development of low-power semiconductor technology over the past 43 years, and introduce my former teachers and people who were involved in the development together, as well as their respective research and developments, while mixing episodes and industrial significance.. |
| キーワード(和) | 半導体デバイス / 低電力LSI設計 / 低電力LSI応用 |
| キーワード(英) | Semiconductor Devices / Low Power LSI Design / Applications of Low Power LSIs |
| 資料番号 | SDM2023-38,ICD2023-17 |
| 発行日 | 2023-07-25 (SDM, ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / ICD / ITE-IST |
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| 開催期間 | 2023/8/1(から3日開催) |
| 開催地（和） | 北海道大学 情報教育館 3F |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ. Multimedia Education Bldg. 3F |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) / 池田 誠(東大) / 池辺 将之(北大) |
| 委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) / Makoto Ikeda(Univ. of Tokyo) / Masayuki Ikebe(Hokkaido Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 宇佐美 達矢(ラピダス) / 若林 準人(ソニーセミコンダクタソリューションズ) / 小室 孝(埼玉大) / 下ノ村 和弘(立命館大) / 香川 景一郞(静岡大) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Usami(Rapidus) / Hayato Wakabayashi(Sony Semiconductor Solutions) / Takashi Komuro(Saitama Univ.) / Kazuhiro Shimonomura(Ritsmeikan Univ.) / Keiichiro Kagawa(Shizuoka Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 諏訪 智之(東北大) / 野田 泰史(パナソニック) / 吉原 義昭(キオクシア) / 宮地 幸祐(信州大) / 徳田 崇(東工大) / 黒田 理人(東北大) / 北村 和也(NHK) / 山下 雄一郎(TSMC) / 大倉 俊介(立命館大) / 竹本 良章(メムスコア) |
| 幹事氏名（英） | Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / Taiji Noda(Panasonic) / Yoshiaki Yoshihara(Kioxia) / Kosuke Miyaji(Shinshu Univ.) / Takashi Tokuda(Tokyo Inst. of Tech.) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Kazuya Kitamura(NHK) / Yuichiro Yamashita(TSMC) / Shunsuke Okura(Ritsumeikan Univ.) / Yoshiaki Takemoto(MEMS CORE) |
| 幹事補佐氏名（和） | 細井 卓治(関西学院大) / 二瀬 卓也(ウエスタンデジタル) / 白井 僚(京大) / 塩見 準(阪大) / 久保木 猛(ソニーセミコンダクタソリューションズ) / 秋田 純一(金沢大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takuji Hosoi(Kwansei Gakuin Univ.) / Takuya Futase(Western Digital) / Ryo Shirai(Kyoto Univ.) / Jun Shiomi(Osaka Univ.) / Takeshi Kuboki(Sony Semiconductor Solutions) / Junichi Akita(Kanazawa Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Group on Information Sensing Technologies |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］低電力半導体技術の研究開発と応用の拡大 |
| サブタイトル（和） | 43年間の半導体研究を振り返って |
| タイトル（英） | [Invited Talk] R and D of Low Power Semiconductor Technology and It's Application Expansions |
| サブタイトル（和） | Review R and D of Semiconductor device and LSI for these 43 years |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体デバイス / Semiconductor Devices |
| キーワード(2)（和/英） | 低電力LSI設計 / Low Power LSI Design |
| キーワード(3)（和/英） | 低電力LSI応用 / Applications of Low Power LSIs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石橋 孝一郎 / Koichiro Ishibashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The Univeristy of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 発表年月日 | 2023-08-01 |
| 資料番号 | SDM2023-38,ICD2023-17 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | SDM-143,ICD-144 |
| ページ範囲 | pp.14-15(SDM), pp.14-15(ICD), |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | 2023-07-25 (SDM, ICD) |