エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2013/06/11)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2013/6/11
[資料番号]
目次

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[発表日]2013/6/11
[資料番号]
酸化剤分圧およびSi拡散の制御によるPr酸化膜結晶構造制御(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

加藤 公彦,  坂下 満男,  竹内 和歌奈,  田岡 紀之,  中塚 理,  財満 鎭明,  

[発表日]2013/6/11
[資料番号]SDM2013-44
テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO_2膜の形成(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

吉田 鉄兵,  加藤 公彦,  柴山 茂久,  坂下 満男,  田岡 紀之,  竹内 和歌奈,  中塚 理,  財満 鎭明,  

[発表日]2013/6/11
[資料番号]SDM2013-45
Al_2O_3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

柴山 茂久,  加藤 公彦,  坂下 満男,  竹内 和歌奈,  田岡 紀之,  中塚 理,  財満 鎭明,  

[発表日]2013/6/11
[資料番号]SDM2013-46
Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

細井 卓治,  秀島 伊織,  箕浦 佑也,  田中 亮平,  吉越 章隆,  寺岡 有殿,  志村 考功,  渡部 平司,  

[発表日]2013/6/11
[資料番号]SDM2013-47
HfO_2/Ge界面へのルチル型TiO_2挿入によるGeO_x生成の抑制(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

小橋 和義,  長田 貴弘,  生田目 俊秀,  山下 良之,  小椋 厚志,  知京 豊裕,  

[発表日]2013/6/11
[資料番号]SDM2013-48
ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

山本 圭介,  佐田 隆宏,  王 冬,  中島 寛,  

[発表日]2013/6/11
[資料番号]SDM2013-49
InGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与えるメタルゲート電極の影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

張 志宇,  横山 正史,  金 相賢,  市川 磨,  長田 剛規,  秦 雅彦,  竹中 充,  高木 信一,  

[発表日]2013/6/11
[資料番号]SDM2013-50
Fe_3Si/Geの界面構造によるSBHとスピン電流の変調 : 第一原理計算による理論的検討(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

小日向 恭祐,  中山 隆史,  

[発表日]2013/6/11
[資料番号]SDM2013-51
MONOS型メモリを用いた長期保存メモリの設計指針(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

白川 裕規,  山口 慶太,  神谷 克政,  白石 賢二,  

[発表日]2013/6/11
[資料番号]SDM2013-52
リモートH_2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電・帯磁特性評価(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

牧原 克典,  福岡 諒,  張 海,  壁谷 悠希,  大田 晃生,  宮崎 誠一,  

[発表日]2013/6/11
[資料番号]SDM2013-53
Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

石部 貴史,  中村 芳明,  松井 秀紀,  竹内 正太郎,  酒井 朗,  

[発表日]2013/6/11
[資料番号]SDM2013-54
シリコン酸化膜中に埋め込んだバイオナノ粒子の抵抗変化メモリ効果(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

上沼 睦典,  番 貴彦,  山下 一郎,  浦岡 行治,  

[発表日]2013/6/11
[資料番号]SDM2013-55
SiO_x/TiO_2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

大田 晃生,  福嶋 太紀,  牧原 克典,  村上 秀樹,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  

[発表日]2013/6/11
[資料番号]SDM2013-56
SiC電界誘起抵抗変化型不揮発性メモリ : MIS型およびpnダイオード型メモリ(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

須田 良幸,  小松 辰己,  山口 伸雄,  佐藤 芳彦,  山田 有希乃,  山下 淳史,  塚本 貴広,  

[発表日]2013/6/11
[資料番号]SDM2013-57
POCl_3アニールによるSiC-MOSデバイスの高性能化(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

矢野 裕司,  畑山 智亮,  冬木 隆,  

[発表日]2013/6/11
[資料番号]SDM2013-58
SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

細井 卓治,  東雲 秀司,  柏木 勇作,  保坂 重敏,  中村 亮太,  中野 佑紀,  浅原 浩和,  中村 孝,  木本 恒暢,  志村 考功,  渡部 平司,  

[発表日]2013/6/11
[資料番号]SDM2013-59
SiC-MOSゲート構造の高信頼性化(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

先崎 純寿,  下里 淳,  田中 保宣,  奥村 元,  

[発表日]2013/6/11
[資料番号]SDM2013-60
熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

渡部 平司,  チャンタパン アタウット,  中野 佑紀,  中村 孝,  細井 卓治,  志村 考功,  

[発表日]2013/6/11
[資料番号]SDM2013-61
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