| 講演名 | 2013-06-18 Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) 細井 卓治, 秀島 伊織, 箕浦 佑也, 田中 亮平, 吉越 章隆, 寺岡 有殿, 志村 考功, 渡部 平司, |
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| 抄録(和) | 高性能Geデバイスの実現には,1nm以下のSiO_2換算膜厚(Equivalent Oxide Thickness: EOT)と良好な界面特性を両立するmetal/high-kゲートスタック技術の確立が不可欠である.high-k/Geゲートスタックの特性劣化の要因として,high-k膜形成や熱処理工程におけるGeO_x界面層の意図しない形成や分解,Ge原子のhigh-k膜中への拡散が指摘されているが,その詳細は分かっていない.そこで本研究では,真空中で連続して作製したmetal/HfO_2/GeO_x/Geスタックの熱的構造変化を光電子分光法によりその場分析することで,ジャーマナイド形成やGeO_x層の還元反応を詳細に評価すると共に,電気特性との相関を調べた. |
| 抄録(英) | An understanding of the mechanisms responsible for formation or decomposition of GeO_x interlayer and Ge diffusion into high-k layer is important to develop advanced metal/high-k gate stacks for Ge MOSFETs. In this work, we fabricated HfO_2/GeO_x/Ge gate stacks by in situ oxidation of thin metal Hf layers on Ge substrates. The effect of plasma oxidation on the change in the bonding states of Ge atoms in HfO_2/GeO_x/Ge gate stacks and the structural changes induced by metal electrode deposition and thermal annealing was systematically investigated by synchrotron radiation photoemission spectroscopy (SR-PES) and electrical characterization. |
| キーワード(和) | ゲルマニウム(Ge) / 誘電率(high-k)ゲート絶縁膜 / ハフニウム酸化物(HfO_2) / 光電子分光 |
| キーワード(英) | Germanium (Ge) / high-permittivity (high-k) gate dielectrics / hafnium oxide (HfO_2) / photoelectron spectroscopy |
| 資料番号 | SDM2013-47 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2013/6/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Germanide Formation in Metal/high-k/Ge Gate Stacks and Its Impact on Electrical Properties |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム(Ge) / Germanium (Ge) |
| キーワード(2)（和/英） | 誘電率(high-k)ゲート絶縁膜 / high-permittivity (high-k) gate dielectrics |
| キーワード(3)（和/英） | ハフニウム酸化物(HfO_2) / hafnium oxide (HfO_2) |
| キーワード(4)（和/英） | 光電子分光 / photoelectron spectroscopy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 細井 卓治 / Takuji HOSOI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 秀島 伊織 / Iori HIDESHIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 箕浦 佑也 / Yuya MINOURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田中 亮平 / Ryohei TANAKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 吉越 章隆 / Akitaka YOSHIGOE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本原子力研究開発機構 Japan Atomic Energy Agency |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 寺岡 有殿 / Yuden TERAOKA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本原子力研究開発機構 Japan Atomic Energy Agency |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 志村 考功 / Takayoshi SHIMURA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 渡部 平司 / Heiji WATANABE |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 発表年月日 | 2013-06-18 |
| 資料番号 | SDM2013-47 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 87 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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