| 講演名 | 2013-06-18 HfO_2/Ge界面へのルチル型TiO_2挿入によるGeO_x生成の抑制(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) 小橋 和義, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋 厚志, 知京 豊裕, |
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| 抄録(和) | Siに代わる新たなチャネル材料として、電子、ホールとともに高い移動度を有したGeが注目されている.しかしながら、high-k/Ge界面の界面準位が大きいことが問題となっている。この問題を解決するために、我々はGe表面のパッシベーション層としてのルチル型TiO_2の効果を調べた。HfO_2とGeとの間にルチル型TiO_2を堆積させた結果、GeO_xの生成が効果的に抑制された。さらに、C-V測定において、小さなヒステリシス、EOT=0.84nmの優れた電気特性が得られた。 |
| 抄録(英) | As a alternative of Si channel, the Ge channel has been proposed and has attracted much attention because of high electron and hole mobility. However, the critical problem of Ge MOS devices is high defect densities at the interface of high-k/Ge structures. To overcome this problem, we investigated rutile TiO_2 interlayer as a passivation layer. We fabricated rutile TiO_2 interlayer between HfO_2 and Ge, and found that the GeO_x formation was effectively suppressed. Moreover the good electrical properties with EOT=0.84 nm and small hysteresis were realized. These procedures would be one of the promising method for Ge MOS device. |
| キーワード(和) | Ge / High-k / MOS |
| キーワード(英) | Ge / High-k / MOS |
| 資料番号 | SDM2013-48 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2013/6/11(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | HfO_2/Ge界面へのルチル型TiO_2挿入によるGeO_x生成の抑制(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Suppression of GeO_x with rutile TiO_2 Interlayer between HfO_2 and Ge |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(2)（和/英） | High-k / High-k |
| キーワード(3)（和/英） | MOS / MOS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小橋 和義 / Kazuyoshi Kobashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 明治大学理工学研究科:物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 Graduate School of Science and Technology, Meiji University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 長田 貴弘 / Takahiro Nagata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 Graduate School of Science and Technology, Meiji University:International Center for Materials Nanoarchitectonics(WPI-MANA), National Institute for Material Science(NIMS) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 生田目 俊秀 / Toshihide Nabatame |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 明治大学理工学研究科:物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 International Center for Materials Nanoarchitectonics(WPI-MANA), National Institute for Material Science(NIMS) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山下 良之 / Yoshiyuki Yamashita |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 International Center for Materials Nanoarchitectonics(WPI-MANA), National Institute for Material Science(NIMS) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小椋 厚志 / Atsushi Ogura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 明治大学理工学研究科 Graduate School of Science and Technology, Meiji University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 知京 豊裕 / Toyohiro Chikyow |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 International Center for Materials Nanoarchitectonics(WPI-MANA), National Institute for Material Science(NIMS) |
| 発表年月日 | 2013-06-18 |
| 資料番号 | SDM2013-48 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 87 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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