エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2010/06/15)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2010/6/15
[資料番号]
目次

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[発表日]2010/6/15
[資料番号]
SiナノワイヤMOSFETのコンパクト・モデル : バリスティックおよび準バリスティック輸送(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

名取 研二,  

[発表日]2010/6/15
[資料番号]SDM2010-33
原子スケールの構造制御技術でアプローチするシリコンナノワイヤトランジスタの開発(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

右田 真司,  森田 行則,  太田 裕之,  

[発表日]2010/6/15
[資料番号]SDM2010-34
キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

佐藤 創志,  角嶋 邦之,  / 大毛利 健治,  名取 研二,  岩井 洋,  山田 啓作,  

[発表日]2010/6/15
[資料番号]SDM2010-35
SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

茂森 直澄,  佐藤 創志,  角嶋 邦之,  アヘメト パルハット,  筒井 一生,  西山 彰,  杉井 信之,  名取 研二,  服部 健雄,  岩井 洋,  

[発表日]2010/6/15
[資料番号]SDM2010-36
金属/Si界面の偏析層によるショットキーバリアの変調 : 第一原理計算による化学的傾向の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

小日向 恭祐,  丸田 勇亮,  中山 隆史,  

[発表日]2010/6/15
[資料番号]SDM2010-37
Ge MISおよびGe/Metal接合の化学結合状態および電気的特性評価(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

藤岡 知宏,  板東 竜也,  大田 晃生,  村上 秀樹,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  

[発表日]2010/6/15
[資料番号]SDM2010-38
分子軌道法によるGe(100)表面終端元素の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

,  金島 岳,  奥山 雅則,  

[発表日]2010/6/15
[資料番号]SDM2010-39
原子層堆積法により形成したPrAlOの結晶構造および電気的特性(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

古田 和也,  竹内 和歌奈,  坂下 満男,  近藤 博基,  中塚 理,  財満 鎭明,  

[発表日]2010/6/15
[資料番号]SDM2010-40
EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

来山 大祐,  小柳 友常,  角嶋 邦之,  / 筒井 一生,  西山 彰,  杉井 信之,  名取 研二,  服部 健雄,  岩井 洋,  

[発表日]2010/6/15
[資料番号]SDM2010-41
High-k/III-V界面の組成・構造とMIS特性との関係(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

安田 哲二,  宮田 典幸,  卜部 友二,  石井 裕之,  板谷 太郎,  前田 辰郎,  山田 永,  福原 昇,  大竹 晃浩,  星井 拓也,  横山 正史,  竹中 充,  高木 信一,  

[発表日]2010/6/15
[資料番号]SDM2010-42
GeO_2/Ge界面反応の理解に基づくGeO_2膜物性の劣化現象の制御(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

喜多 浩之,  王 成凱,  李 忠賢,  吉田 まほろ,  西村 知紀,  長汐 晃輔,  鳥海 明,  

[発表日]2010/6/15
[資料番号]SDM2010-43
作製後の電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値電圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し安定性の向上(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

宮地 幸祐,  田中丸 周平,  本田 健太郎,  宮野 信治,  竹内 健,  

[発表日]2010/6/15
[資料番号]SDM2010-44
一層型SGT、積層型SGTを用いたシステムLSIのパターン面積の比較検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

小玉 貴大,  渡辺 重佳,  

[発表日]2010/6/15
[資料番号]SDM2010-45
ユニバーサルメモリを目指した積層型NOR MRAMの検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

玉井 翔人,  渡辺 重佳,  

[発表日]2010/6/15
[資料番号]SDM2010-46
TiO_2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

大田 晃生,  後藤 優太,  カザルマン モハマド ファイルズ,  尉 国浜,  村上 秀樹,  

[発表日]2010/6/15
[資料番号]SDM2010-47
フェリチンタンパク質により形成したナノ粒子の抵抗変化メモリ応用 : 金属ナノ粒子による伝導パスの制御(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

上沼 睦典,  川野 健太郎,  吉井 重雄,  山下 一郎,  浦岡 行治,  

[発表日]2010/6/15
[資料番号]SDM2010-48
複写される方へ

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[発表日]2010/6/15
[資料番号]
奥付

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[発表日]2010/6/15
[資料番号]
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