| 講演名 | 2010-06-22 SiナノワイヤMOSFETのコンパクト・モデル : バリスティックおよび準バリスティック輸送(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術) 名取 研二, |
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| 抄録(和) | SiナノワイヤMOSFETのバリスティックな特性を算出するコンパクトモデルを示し、デバイス特性を議論した。更に、同じく準バリスティック特性を与える散乱モデルを説明し、計算例を示した。 |
| 抄録(英) | A compact model of ballistic Si nanowire MOSFET is disclosed and the device characteristics are discussed. Then a carrier-scattering model suitable for implementing a compact model of quasi-ballistic nanowire MOSFETs is proposed. The device characteristics derived by the model is also shown. |
| キーワード(和) | Naowire / MOSFET / Compact model / Ballistic / Quasi-Ballistic+ |
| キーワード(英) | Naowire / MOSFET / Compact model / Ballistic / Quasi-Ballistic |
| 資料番号 | SDM2010-33 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2010/6/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiナノワイヤMOSFETのコンパクト・モデル : バリスティックおよび準バリスティック輸送(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Compact Model of Si Nanowire MOSFETs : Ballistic and Quasi-Ballistic Transport |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Naowire / Naowire |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | Compact model / Compact model |
| キーワード(4)（和/英） | Ballistic / Ballistic |
| キーワード(5)（和/英） | Quasi-Ballistic+ / Quasi-Ballistic |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 名取 研二 / Kenji NATORI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学フロンティア研究機構 Frontier Research Center, Toko Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2010-06-22 |
| 資料番号 | SDM2010-33 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 90 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |