| 講演名 | 2010-06-22 TiO_2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術) 大田 晃生, 後藤 優太, カザルマン モハマド ファイルズ, 尉 国浜, 村上 秀樹, |
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| 抄録(和) | 抵抗変化型メモリにおいて、電気抵抗変化の低電圧動作や安定したスイッチング特性を得ることを目的とし、TiO_2へのY添加が化学結合状態および抵抗変化特性に与える影響を評価した。スパッタリング法により形成したPt膜上に、Ti(dipivaloymethanato : DPM)_4およびY(DPM)_3を原料に用いたMOCVDによりY/(Ti+Y)組成(0～33%)の異なるTiY_xO_y膜を形成し、膜緻密化のために～1% O_2雰囲気中(大気圧)500℃で熱処理を行った。Y/(Ti+Y)組成0～33%の領域で、X線光電子分光と分光エリプソメトリにより、TiY_xO_y薄膜のエネルギーバンドギャップ(Eg)及びPtに対する価電子帯側の障壁高さを実測し、TiY_xO_y/Pt界面のバンド不連続量を明らかにした.Au上部電極を用いたMIMキャパシタにおいて、正バイアス印加によるI-V特性より抵抗変化動作を評価し、TiO_2中へのY添加によるV_ |
| 抄録(英) | To improve performance on resistive switching of TiO_2-based ReRAM, the influence of Y_2O_3 incorporation into TiO_2 on electronic structures and resistive switching characteristics have been investigated. TiY_xO_y films with different Y/(Ti+Y) contents were deposited on Pt layer by MOCVD using dipivaloymethanato (DPM) precursors and followed by O_2 anneal to densify the films. A fairly good compositional uniformity in each TiY_xO_y film was confirmed by XPS analysis. The energy bandgap (Eg) of the TiY_xO_y firms, which was determined by analyzing the absorption coefficient, was gradually increased with Y/(Ti+Y) content. Since a decrease in valence band offset between TiY_xO_y and Pt was almost the same as that in Eg, the conduction band offset was almost constant at ～1.3eV. The resistive switching behaviors of TiY_xO_y were investigated from current-voltage (I-V) curves in DC voltage sweep mode by applying positive bias to a Au electrode. After forming process, stable non-polar type resistive switching by Y addition was observed as compared with the TiO_2 case. Y addition is quite effective to improve endurance in resistive switching and to reduce the variations of V_ |
| キーワード(和) | 抵抗変化型メモリ(ReRAM) / TiO_2 / エネルギーバンドアライメント / X線光電子分光法(XPS) |
| キーワード(英) | Resistive Random Access Memory (ReRAM) / Energy Band Alignment / X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) |
| 資料番号 | SDM2010-47 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2010/6/15(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | TiO_2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The influence of Y incorporation into TiO_2 on Electronic States and Resistive Switching Characteristics |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗変化型メモリ(ReRAM) / Resistive Random Access Memory (ReRAM) |
| キーワード(2)（和/英） | TiO_2 / Energy Band Alignment |
| キーワード(3)（和/英） | エネルギーバンドアライメント / X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) |
| キーワード(4)（和/英） | X線光電子分光法(XPS) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大田 晃生 / Akio Ohta |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 後藤 優太 / Yuta Goto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | カザルマン モハマド ファイルズ / Mohd Fairuz Kazalman |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 尉 国浜 / Goubin Wei |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 村上 秀樹 / Hideki Murakami |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 発表年月日 | 2010-06-22 |
| 資料番号 | SDM2010-47 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 90 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |