エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2005/06/21)

タイトル/著者/発表日/資料番号
COVER

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[発表日]2005/6/21
[資料番号]
CONTENTS

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[発表日]2005/6/21
[資料番号]
低消費電力LSI用HfSiON-CMOSFET実用化技術(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

高柳 万里子,  

[発表日]2005/6/21
[資料番号]ED2005-67,SDM2005-87
ECR Ar/N_2プラズマ窒化による高誘電率HfO_xN_y薄膜の形成(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

大見 俊一郎,  黒瀬 朋紀,  佐藤 雅樹,  内川 偉史,  

[発表日]2005/6/21
[資料番号]ED2005-68,SDM2005-88
Work function tunability of bilayer metal gate electrode(Advanced ULSI Technology)

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[発表日]2005/6/21
[資料番号]ED2005-69,SDM2005-89
三次元実装に用いる高アスペクト銅穴埋めっき(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

近藤 和夫,  米澤 稔利浩,  三上 大輔,  大久保 利一,  高橋 健司,  

[発表日]2005/6/21
[資料番号]ED2005-70,SDM2005-90
Electron beam projection nano-patterning using crystalline lattice image(New Materials and Processes)

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[発表日]2005/6/21
[資料番号]ED2005-71,SDM2005-91
ペロブスカイト型酸化物ヘテロ接合の抵抗スイッチング・メモリ(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

澤 彰仁,  藤井 健志,  川崎 雅司,  十倉 好紀,  

[発表日]2005/6/21
[資料番号]ED2005-72,SDM2005-92
分子ビームエピタキシャル成長法によるFe_3Si/Siの形成(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

佐道 泰造,  竹内 悠,  上田 公二,  権丈 淳,  宮尾 正信,  

[発表日]2005/6/21
[資料番号]ED2005-73,SDM2005-93
A Morphology-independent Wafer Level Rivet Packaging with LEGO-like Assembly(New Materials and Processes)

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[発表日]2005/6/21
[資料番号]ED2005-74,SDM2005-94
24GHz UWB/77GHz車載レーダ用トランシーバ(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

近藤 博司,  永石 英幸,  篠田 博史,  永作 俊幸,  栗田 直幸,  浜口 清,  

[発表日]2005/6/21
[資料番号]ED2005-75,SDM2005-95
ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

高品 圭,  小野 行徳,  藤原 聡,  高橋 庸夫,  平山 祥郎,  

[発表日]2005/6/21
[資料番号]ED2005-76,SDM2005-96
Degradation and Recovery Phenomena of Thin Gate Oxide Films under Dynamic Negative-Bias Temperature Instability (NBTI) Stress(Functional Devices and Circuits)

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[発表日]2005/6/21
[資料番号]ED2005-77,SDM2005-97
16GHz CMOS LNA design without Source degeneration inductor(Functional Devices and Circuits)

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[発表日]2005/6/21
[資料番号]ED2005-78,SDM2005-98
RF Linearity Analysis of FinFETs using 3-D Device Simulation(Advanced Si Devices)

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[発表日]2005/6/21
[資料番号]ED2005-79,SDM2005-99
Impact of High Performance Accumulation-Mode Fully Depleted SOI MOSFETs(Advanced Si Devices)

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[発表日]2005/6/21
[資料番号]ED2005-80,SDM2005-100
A Comprehensive Study of Punchthrough Characteristics in Multiple-Gate MOSFETs : The Trend of Punchthrough Voltages in Various Gate Shapes of SOI MOSFETs(Advanced Si Devices)

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[発表日]2005/6/21
[資料番号]ED2005-81,SDM2005-101
Novel Structures for 2-Bit Per Cell of NVM Using Asymmetric Double Gate(Advanced Si Devices)

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[発表日]2005/6/21
[資料番号]ED2005-82,SDM2005-102
High Performance Power MOSFETs by Wing-cell Structure Design(Advanced Si Devices)

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[発表日]2005/6/21
[資料番号]ED2005-83,SDM2005-103
Integration Technologies for High Density Emerging New Memories(Advanced Si Devices)

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[発表日]2005/6/21
[資料番号]ED2005-84,SDM2005-104
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