| 講演名 | 2005/6/21 RF Linearity Analysis of FinFETs using 3-D Device Simulation(Advanced Si Devices) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | For the first time, three-dimensional device simulation of FinFETs to analyze RF linearity is reported. Device optimization was performed in order to suppress the short-channel effect (SCE) by reducing the sub-threshold swing and drain induced barrier lowering (DIBL). The RF linearity characteristics of FinFETs including triple gate and double gate (DG) structures were investigated. Linearity performance as a function of body thickness, drain bias, gate length was investigated in optimizing the device. We observed that the linearity increases gradually as the gate length is scaled down. The down scaling of body thickness has a negative impact on linearity for FinFETs. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | FinFET / dg / triple gate / RF linearity / 3D / device simulation |
| 資料番号 | ED2005-79,SDM2005-99 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/6/21(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | RF Linearity Analysis of FinFETs using 3-D Device Simulation(Advanced Si Devices) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / FinFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Myounggon Kang |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), and School of Electrical Engineering, Seoul National University |
| 発表年月日 | 2005/6/21 |
| 資料番号 | ED2005-79,SDM2005-99 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 155 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |