| 講演名 | 2005/6/21 三次元実装に用いる高アスペクト銅穴埋めっき(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)) 近藤 和夫, 米澤 稔利浩, 三上 大輔, 大久保 利一, 高橋 健司, |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The optimized concentration of additives are, SPR as 5mg/L, LEV as 0.2mg/L, SPS(Bis(3-sulfopropul)disulfide) as 2mg/L, HCl as 70mg/L and H_2SO_4 as 25g/L. With I_ |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Three dimensional packaging / Copper / Via Filling |
| 資料番号 | ED2005-70,SDM2005-90 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/6/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 三次元実装に用いる高アスペクト銅穴埋めっき(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Aspect Ratio Copper Via Filling Used for the Three- Dimensional Chip Stacking(Advanced ULSI Technology) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Three dimensional packaging |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 近藤 和夫 / Kazuo KONDO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学工学研究科 Department of Chemical Engineering, Osaka Prefecture University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 米澤 稔利浩 / Toshihiro YONEZAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学工学研究科 Department of Chemical Engineering, Osaka Prefecture University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三上 大輔 / Daisuke MIKAMI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学工学研究科 Department of Chemical Engineering, Osaka Prefecture University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大久保 利一 / Toshikazu OKUBO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 凸版印刷(株) Semiconductor Packaging Laboratory, Toppan Printing Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高橋 健司 / Kenji TAKAHASHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社 Toshiba Corp. Semiconductor Company 1 |
| 発表年月日 | 2005/6/21 |
| 資料番号 | ED2005-70,SDM2005-90 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 155 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |