| 講演名 | 2005/6/21 低消費電力LSI用HfSiON-CMOSFET実用化技術(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)) 高柳 万里子, |
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| 抄録(和) | 本論文では、ゲート絶縁膜にHfSiON膜を用いたCMOSFETの実用化する上での主な技術的課題を議論する。広く知られているフラットバンド電圧シフトとそれに伴う閾値制御問題について、HfSiON膜設計とMOSFETのチャネル設計の両面から議論する。プロセスインテグレーション上の問題としては、Hfの触媒効果を取り上げる。また、最終的に本質的な問題として残ると考えられる移動度低下や、微細MOSFETにおいて顕在化するゲート端での電界の2次元効果についても議論する。これらのHfSiONゲート絶縁膜特有の課題を踏まえた上で、デバイス設計とプロセスインテグレーションを最適化することでITRSロードマップに示される性能を満たす低消費電力LSI用のCMOSFETが実現可能であることを示す。 | |
| 抄録(英) | This paper discusses major issues of HfSiON-CMOSFET from the viewpoints of device design and process integration. Well-known V_| adjustment problem is discussed from perspective of both HfSiON film design and channel profile engineering. Issue of process integration such as catalyst action of Hf is also covered. Problems which might be essential to HfSiON-MOSFET such as mobility reduction and 2-dimensional effect at the gate edge are also discussed. Finally, we demonstrate HfSiON-CMOSFET for LSTP application which meets the specification of ITRS roadmap by optimizing device design and process integration. | |
| キーワード(和) | プロセスインテグレーション / デバイス設計 / フラットバンド電圧シフト / 閾値電圧制御 / 移動度 | |
| キーワード(英) | HfSiON / CMOSFET / process integration / device design / flat band voltage shift / threshold voltage adjustment / mobility | |
| 資料番号 | ED2005-67,SDM2005-87 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/6/21(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 低消費電力LSI用HfSiON-CMOSFET実用化技術(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | HfSiON-CMOSFET Technology for Low Operating Power/Low Standby Power Applications(Advanced ULSI Technology) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | プロセスインテグレーション / HfSiON |
| キーワード(2)（和/英） | デバイス設計 / CMOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | フラットバンド電圧シフト / process integration |
| キーワード(4)（和/英） | 閾値電圧制御 / device design |
| キーワード(5)（和/英） | 移動度 / flat band voltage shift |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高柳 万里子 / Mariko TAKAYANAGI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 発表年月日 | 2005/6/21 |
| 資料番号 | ED2005-67,SDM2005-87 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 155 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |