エレクトロニクス-集積回路(開催日:2005/04/07)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2005/4/7
[資料番号]
目次

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[発表日]2005/4/7
[資料番号]
低電圧時の安定高速動作を実現するノイズマージンフリーSRAM技術(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集1 SRAM)

武田 晃一,  萩原 靖彦,  相本 代志治,  野村 昌弘,  中澤 陽悦,  石井 利生,  小畑 弘之,  

[発表日]2005/4/7
[資料番号]ICD2005-1
書き込みマージンを増加させた低電力SoC向け混載SRAM(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集1 SRAM)

山岡 雅直,  前田 徳章,  篠崎 義弘,  島崎 靖久,  新居 浩二,  島田 茂,  柳沢 一正,  河原 尊之,  

[発表日]2005/4/7
[資料番号]ICD2005-2
A 256Mb Synchronous Burst DDR SRAM using Single-crystal Silicon Thin Film Transistor (SSTFT) SRAM cell

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[発表日]2005/4/7
[資料番号]ICD2005-3
ナノスケール時代のDRAM : 非1T1Cアプローチ(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)

石井 智之,  

[発表日]2005/4/7
[資料番号]ICD2005-4
SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)

大澤 隆,  藤田 勝之,  初田 幸輔,  東 知輝,  森門 六月生,  南 良博,  篠 智彰,  中島 博臣,  井納 和美,  浜本 毅司,  渡辺 重佳,  

[発表日]2005/4/7
[資料番号]ICD2005-5
デジタル家電向け混載メモリの現状と将来展望 : SoCの構造改革に向けたチャレンジ(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)

山内 寛行,  

[発表日]2005/4/7
[資料番号]ICD2005-6
A 196-mm^2, 2-Gb DDR2 SDRAM using an 80-nm Triple Metal Technology

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[発表日]2005/4/7
[資料番号]ICD2005-7
ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)

関口 知紀,  秋山 悟,  梶谷 一彦,  半澤 悟,  竹村 理一郎,  河原 尊之,  

[発表日]2005/4/7
[資料番号]ICD2005-8
Improved write methods for 64Mb Phase-change Random Access Memory (PRAM)

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[発表日]2005/4/7
[資料番号]ICD2005-9
70nm 8ギガビットNANDフラッシュメモリの設計(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)

阿部 巧,  原 毅彦,  福田 浩一,  金澤 一久,  柴田 昇,  細野 浩司,  前嶋 洋,  中川 道雄,  小島 正嗣,  藤生 政樹,  竹内 義昭,  雨宮 和美,  師岡 翠,  亀井 輝彦,  那須 弘明,  / 櫻井 清史,  常盤 直哉,  和気 裕子,  

[発表日]2005/4/7
[資料番号]ICD2005-10
多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)

倉田 英明,  笹子 佳孝,  大津賀 一雄,  有金 剛,  河村 哲史,  小林 孝,  久米 均,  本間 和樹,  小堺 健司,  野田 敏史,  伊藤 輝彦,  清水 雅裕,  池田 良広,  土屋 修,  古沢 和則,  

[発表日]2005/4/7
[資料番号]ICD2005-11
ディジタルコンシューマ時代に向けたメモリ技術(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)

佐藤 克之,  山内 寛行,  沼田 健二,  赤沢 隆,  片山 泰尚,  

[発表日]2005/4/7
[資料番号]ICD2005-12
複写される方へ

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[発表日]2005/4/7
[資料番号]
Notice about photocopying

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[発表日]2005/4/7
[資料番号]
奥付

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[発表日]2005/4/7
[資料番号]