エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日:2003/11/03)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2003/11/3
[資料番号]
目次

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[発表日]2003/11/3
[資料番号]
Sb介在LT-Siバッファー層上Si_<0.75>Ge_<0.25>合金層の高分解能X線回折研究(薄膜プロセス・材料,一般)

,  鄭 樹啓,  丹保 豊和,  龍山 智栄,  

[発表日]2003/11/3
[資料番号]CPM2003-132
混合ターゲットを用いた歪緩和SiGeの作製(薄膜プロセス・材料,一般)

吉森 和也,  佐々木 公洋,  畑 朋延,  

[発表日]2003/11/3
[資料番号]CPM2003-133
有機ケイ素化合物を用いたSiC成長初期過程の再評価とCVD法への応用(薄膜プロセス・材料,一般)

成田 克,  森本 貫太郎,  森山 学,  原島 正幸,  安井 寛治,  赤羽 正志,  

[発表日]2003/11/3
[資料番号]CPM2003-134
ホットメッシュCVD法によるGaAs(100)上への立方晶GaNの低温成長(薄膜プロセス・材料,一般)

當摩 義明,  石橋 充好,  安井 寛治,  赤羽 正志,  

[発表日]2003/11/3
[資料番号]CPM2003-135
熱処理法によるアルミン酸ストロンチウム薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)

清水 英彦,  松本 行生,  岩野 春男,  丸山 武男,  

[発表日]2003/11/3
[資料番号]CPM2003-136
再蒸発法によるC_<60>超薄膜ナノ構造(薄膜プロセス・材料,一般)

奥山 博基,  金城 あかね,  長山 喜正,  岩田 展幸,  山本 寛,  

[発表日]2003/11/3
[資料番号]CPM2003-137
スパッタ法によるReO_3/SrCuO_2積層膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)

深井 久美子,  桝井 基至,  岩田 展幸,  山本 寛,  

[発表日]2003/11/3
[資料番号]CPM2003-138
MBE法によるSrTiO_3/SrO/Si上へのBi_2Sr_2CuO_x薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)

,  松田 晶詳,  安村 毅,  丹保 豊和,  龍山 智栄,  

[発表日]2003/11/3
[資料番号]CPM2003-139
Si(001)-Sb(8×2)+(4×2)混合再構成の構造と形成過程(薄膜プロセス・材料,一般)

,  大村 一剛,  古川 雄三,  森 雅之,  丹保 豊和,  龍山 智栄,  

[発表日]2003/11/3
[資料番号]CPM2003-140
Arイオン衝撃処理によるイオンビームスパッタFe膜の構造と磁気特性変化(薄膜プロセス・材料,一般)

岩坪 聡,  

[発表日]2003/11/3
[資料番号]CPM2003-141
WO_3薄膜の膜密度とNO_2ガス検出特性(薄膜プロセス・材料,一般)

金 成姫,  山崎 登志成,  白井 康義,  喜久田 寿郎,  中谷 訓幸,  武田 文雄,  

[発表日]2003/11/3
[資料番号]CPM2003-142
奥付

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[発表日]2003/11/3
[資料番号]
複写される方へ

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[発表日]2003/11/3
[資料番号]