| 講演名 | 2003/11/3 Si(001)-Sb(8×2)+(4×2)混合再構成の構造と形成過程(薄膜プロセス・材料,一般) , 大村 一剛, 古川 雄三, 森 雅之, 丹保 豊和, 龍山 智栄, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 人口的構造や制御された原子的配列をもつ低次元材料作成の可能性は、ナノエレクトロニクス時代に向けての展望に重要である。本研究において、我々は、Si(001)面上のIn誘起(4×3)表面再構成がSb吸着の動力学を変化させ、(8×2)+(4×2)構造が混在した新しいSb-Si表面相の形成を引き起こすことを示す。RHEED、AES、STMによる実験結果から、この(8×2)+(4×2)構造の原子配列モデルと可能な形成プロセスのモデルを示す。 |
| 抄録(英) | The possibility of creation low-dimension materials with artificial structures and controllable atomic arrangement is important from the viewpoint of forthcoming nano-electronics age. In the present study we demonstrate how the In-induced surface reconstruction of Si(001) substrate changes the kinetics of Sb adsorption that results in the formation of a new Sb-Si surface phase with mixed (8×2)+(4×2) structure. The possible atomic arrangement of the (8×2)+(4×2) reconstruction along with the formation process are discussed based on results of RHEED, AES and STM experiments. |
| キーワード(和) | scanning Tunneling Microscopy (STM) / In誘起表面相 / Sbの吸着 |
| キーワード(英) | scanning Tunneling Microscopy (STM) / In-induced surface phase / Sb adsorption |
| 資料番号 | CPM2003-140 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2003/11/3(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | Si(001)-Sb(8×2)+(4×2)混合再構成の構造と形成過程(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Structure and formation process of mixed Si(001)-Sb(8×2)+(4×2) surface reconstruction |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | scanning Tunneling Microscopy (STM) / scanning Tunneling Microscopy (STM) |
| キーワード(2)（和/英） | In誘起表面相 / In-induced surface phase |
| キーワード(3)（和/英） | Sbの吸着 / Sb adsorption |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Dimitry V. GRUZNEV |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Faculty of Engineering, Toyama University:Institute of Automation and Control Processes |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大村 一剛 / Kazutaka OHMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Faculty of Engineering, Toyama University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 古川 雄三 / Yuzo FURUKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Faculty of Engineering, Toyama University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 森 雅之 / Masayuki MORI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Faculty of Engineering, Toyama University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 丹保 豊和 / Toyokazu TAMBO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Faculty of Engineering, Toyama University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 龍山 智栄 / Chiei TATSUYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Faculty of Engineering, Toyama University |
| 発表年月日 | 2003/11/3 |
| 資料番号 | CPM2003-140 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 411 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |