| 講演名 | 2003/11/3 WO_3薄膜の膜密度とNO_2ガス検出特性(薄膜プロセス・材料,一般) 金 成姫, 山崎 登志成, 白井 康義, 喜久田 寿郎, 中谷 訓幸, 武田 文雄, |
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| 抄録(和) | 高感度なNO_2ガスセンサーを得るために,WO_3薄膜の多孔性と貴金属(Au,Pt,Ru)添加効果について調べた.反応性直流マグネトロンスパッタ法により石英基板上にWO_3薄膜を作製し,大気中600℃で4時間熱処理した.膜の結晶構造はXRDで,表面形状はAFMで観察した.膜にPtスパッタ膜のくし型電極を付け,3ppmのNO_2ガスに対する感度を調べた.基板温度を低くし,また放電ガス圧力を高くすると膜密度の低い多孔質な膜が得られ,感度が向上することが判明した.またAu (0.25at.%)を添加した膜密度の低い膜で最も高い感度が得られた. |
| 抄録(英) | In order to obtain high sensitivity to NO_2 gas, the effects of the porosity and noble metal additives (Au, Pt, Ru) were studied. WO_3 thin films have been deposited on the quartz substrates by reactive dc magnetron sputtering, and then annealed in air for 4h at 600℃. The film crystallographic structures and the surface morphologies were analyzed by XRD and AFM respectively. Sputtered Pt is used for the interdigital electrode and the gas sensing properties of WO_3 thin film to 3ppm NO_2 gas were investigated. The sensitivity is increased, as the substrate temperature decreased and the discharge gas pressure increased, while the film is porous and has a low film density. Au (0.25at.) doping and low film density causes high sensitivity. |
| キーワード(和) | WO_3 / 薄膜 / スパッタリング / 膜密度 / NO_2ガス / ガスセンサー |
| キーワード(英) | WO_3 / Thin film / Sputtering / Film density / NO_2 gas / Gas sensor |
| 資料番号 | CPM2003-142 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2003/11/3(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | WO_3薄膜の膜密度とNO_2ガス検出特性(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | NO_2 gas sensing properties of WO_3 sputtered film dependent on the film density |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | WO_3 / WO_3 |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜 / Thin film |
| キーワード(3)（和/英） | スパッタリング / Sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | 膜密度 / Film density |
| キーワード(5)（和/英） | NO_2ガス / NO_2 gas |
| キーワード(6)（和/英） | ガスセンサー / Gas sensor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金 成姫 / Chengji JIN |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Faculty of Engineering, Toyama University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山崎 登志成 / Toshinari YAMAZAKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Faculty of Engineering, Toyama University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 白井 康義 / Yashuyosi SHIRAI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Faculty of Engineering, Toyama University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 喜久田 寿郎 / Toshio KIKUTA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Faculty of Engineering, Toyama University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中谷 訓幸 / Noriyuki NAKATANI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Faculty of Engineering, Toyama University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 武田 文雄 / Humio TAKEDA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富山工業高等専門学校 Toyama National College of Technology |
| 発表年月日 | 2003/11/3 |
| 資料番号 | CPM2003-142 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 411 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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