エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2008/05/08)

タイトル/著者/発表日/資料番号
電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

小野 英則,  小川 和也,  加藤 正史,  市村 正也,  

[発表日]2008/5/8
[資料番号]ED2008-19,CPM2008-27,SDM2008-39
マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

松下 由憲,  加藤 正史,  市村 正也,  畑山 智亮,  大島 武,  

[発表日]2008/5/8
[資料番号]ED2008-20,CPM2008-28,SDM2008-40
電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

鬼頭 孝輔,  加藤 正史,  市村 正也,  

[発表日]2008/5/8
[資料番号]ED2008-21,CPM2008-29,SDM2008-41
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[発表日]2008/5/8
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[発表日]2008/5/8
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[発表日]2008/5/8
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