| 講演名 | 2008-05-16 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 鬼頭 孝輔, 加藤 正史, 市村 正也, |
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| 抄録(和) | 本研究では2種類の高抵抗6H-SiCバルクウェハに対し,抵抗率上昇機構解明の電気的測定手法として,電流-電圧測定、容量-電圧測定、電流DLTS測定(Current Deep-Level Transient Spectroscopy)を用い,半絶縁性に影響を及ぼす準位の解明を試みた.さらに,少数キャリアトラップの評価が可能であるPICTS測定(Photo Induced Current Level Transient Spectroscopy)を行い,詳細なトラップ評価を試みた.その結果,抵抗率の低い試料では結晶作製過程で導入された,Ec-0.17eVの準位が抵抗率を低下させていることがわかった.さらに抵抗率の高い試料ではEc-0.77eVのアクセプタ型準位がキャリアを補償し,他の準位とともに半絶縁性向上に寄与している可能性が見出された. |
| 抄録(英) | We characterized deep levels that influence a semi-insulating property by current-voltage, capacitance-voltage and current deep-level transient spectroscopy measurement for high resistive 6H-SiC bulk wafers. In addition, photo induced current level transient spectroscopy measurements were performed to evaluate minority carrier traps. As a result, in the sample with lower resistivity, the donor level of Ec-0.17eV introduced during the crystal growth process decreased the resistivity. In the sample with higher resistivity, an acceptor level of Ec-0.77eV would compensate for the electron, and the other levels also may contribute to high resistivity of this sample. |
| キーワード(和) | SiC / 深い準位 / 電流-電圧測定 / 容量-電圧測定 / DLTS / PICTS |
| キーワード(英) | SiC / deep level / current-voltage / capacitance-voltage / DLTS / PICTS |
| 資料番号 | ED2008-21,CPM2008-29,SDM2008-41 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2008/5/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of deep levels in undoped 6H-SiC by Current Deep-Level Transient Spectroscopy method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 深い準位 / deep level |
| キーワード(3)（和/英） | 電流-電圧測定 / current-voltage |
| キーワード(4)（和/英） | 容量-電圧測定 / capacitance-voltage |
| キーワード(5)（和/英） | DLTS / DLTS |
| キーワード(6)（和/英） | PICTS / PICTS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鬼頭 孝輔 / Kosuke Kito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya institute of technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / Masashi Kato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya institute of technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya institute of technology |
| 発表年月日 | 2008-05-16 |
| 資料番号 | ED2008-21,CPM2008-29,SDM2008-41 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 36 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |