| 講演名 | 2008-05-16 マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 松下 由憲, 加藤 正史, 市村 正也, 畑山 智亮, 大島 武, |
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| 抄録(和) | SiCは高出力,高周波デバイスの材料として注目されている.実用化を妨げる原因のひとつとしてウェハー中の結晶欠陥の存在が挙げられるが,デバイス特性と結晶欠陥の関係がわかっていない.よって結晶欠陥の評価が必要である.本研究では電子線照射により欠陥濃度を変化させたp型4H-SiC(0001)Si面エピタキシャル試料中の過剰キャリア減衰曲線をμ-PCD(反射マイクロ波光導電減衰)法によって測定した.過剰キャリアは欠陥濃度の高い試料ほど速く減衰し,さらに注入過剰キャリアが少ないほど速く減衰した.これらの減衰と数値計算によって得られた減衰曲線とを比較した結果,EH_<6/7>センター,Z_<1/2>センターの密度が小さいときはEH_<6/7>センターが減衰曲線に対して支配的に働き,EH_<6/7>センター,Z_<1/2>センターの密度が大きいときはZ_<1/2>センターが減衰曲線に対して支配的に働くということが考えられた. |
| 抄録(英) | Silicon Carbide (SiC) is a promising material for high power and high frequency devices. However we cannot transfer these devices to practical use because of presence of crystal defects in the wafer. In this work, we have measured excess carrier decay curves in (0001) Si face epitaxial p-type 4H-SiC layers with the microwave photoconductivity decay (μ-PCD) method. Two pieces were irradiated by electron in order to control defect density. Excess carrier decayed fast for the sample that has high density of defects and the decays were also fast in the measurement with low injection level. We compare these decay curves to calculated decay curves. As a result, we considered that EH_<6/7> center is dominant for samples with low EH_<6/7>, Z_<1/2> center density and Z_<1/2> center is dominant for samples with high EH_<6/7>, Z_<1/2> center density. |
| キーワード(和) | 4H-SiC / キャリアライフタイム / μ-PCD法 / 減衰曲線 / 電子線照射 / 数値計算 / 注入フォトン数 |
| キーワード(英) | 4H-SiC / carrier lifetime / μ-PCD method / decay curve / electron irradiation / calculation / Injection level |
| 資料番号 | ED2008-20,CPM2008-28,SDM2008-40 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2008/5/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of epitaxial p-type 4H-SiC layers by the microwave photoconductivity decay method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | キャリアライフタイム / carrier lifetime |
| キーワード(3)（和/英） | μ-PCD法 / μ-PCD method |
| キーワード(4)（和/英） | 減衰曲線 / decay curve |
| キーワード(5)（和/英） | 電子線照射 / electron irradiation |
| キーワード(6)（和/英） | 数値計算 / calculation |
| キーワード(7)（和/英） | 注入フォトン数 / Injection level |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松下 由憲 / Yoshinori MATSUSHITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / Masashi KATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya ICHIMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 畑山 智亮 / Tomoaki HATAYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 NARA INSTITUTE of SCIENCE and TECHNOLOGY |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大島 武 / Takeshi OSHIMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本原子力開発機構 Japan Atomic Energy Agency |
| 発表年月日 | 2008-05-16 |
| 資料番号 | ED2008-20,CPM2008-28,SDM2008-40 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 36 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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