| 講演名 | 2008-05-16 電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 小野 英則, 小川 和也, 加藤 正史, 市村 正也, |
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| 抄録(和) | 4H-SiCショットキーダイオードは高速,高耐圧の整流器への応用が期待されている.しかし,SiCショットキーダイオードにおいてショットキー障壁高さがデバイス中で一様でなく,順方向特性が安定しないという報告がされている.本研究では,ZnOの電気化学堆積により4H-SiC表面においてショットキー障壁高さの低い位置の可視化を試みた.そして,ZnOを除去後ZnOが堆積した位置と堆積しなかった位置にNiショットキーダイオードを作製し,両者のショットキー障壁高さの比較を行った.また,ZnOが堆積した位置と溶融塩エッチングにより可視化したエッチピットの位置の比較を試みた.その結果,ZnOが堆積した位置に作製したショットキーダイオードのショットキー障壁高さはZnOが堆積しなかった位置に作製したものよりも低かった.また堆積させたZnOは約半分のものがエッチピットの位置に堆積したが,エッチピットのない位置に堆積したものも存在した. |
| 抄録(英) | 4H-SiC Schottky Diodes are promising for application of high-power and high-frequency rectifiers. However it is reported that the forward bias property is unstable between diodes because of inhomogeneity of Schottky barrier height. We observed regions with a low Schottky barrier height on 4H-SiC surface by the electrochemical deposition of ZnO. After removing ZnO, we fabricated Ni Schottky diodes on the position with and without deposited ZnO films. Then, we compared the Schottky barrier height of the diodes fabricated on the position with and without deposited ZnO films. Schottky barrier heights of Schottky Diodes fabricated on the position of a deposited ZnO film were lower than the one fabricated on the position of no deposited ZnO films. Molten salt etching reveal that approximately half of the ZnO films were deposited on the position of etch pit, while other films were deposited on the position of no etch pit. |
| キーワード(和) | 4H-SiC / ショットキー障壁高さ / 結晶欠陥 / 電気化学堆積 / ZnO |
| キーワード(英) | 4H-SiC / Schottky barrier height / defect / electrochemical deposition / ZnO |
| 資料番号 | ED2008-19,CPM2008-27,SDM2008-39 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2008/5/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Observation Method of Variation in Barrier Height in 4H-SiC Schottky Diodes Using the Electrochemical Deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー障壁高さ / Schottky barrier height |
| キーワード(3)（和/英） | 結晶欠陥 / defect |
| キーワード(4)（和/英） | 電気化学堆積 / electrochemical deposition |
| キーワード(5)（和/英） | ZnO / ZnO |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小野 英則 / Hidenori Ono |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小川 和也 / Kazuya Ogawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / Masashi Kato |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2008-05-16 |
| 資料番号 | ED2008-19,CPM2008-27,SDM2008-39 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 36 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |