エレクトロニクス-レーザ・量子エレクトロニクス(開催日:2006/09/28)

タイトル/著者/発表日/資料番号
ジメチルヒドラジンを窒素源に用いたGaNのマスクレスELO成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)

清水 順,  瀧澤 俊幸,  上田 哲三,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-170,CPM2006-107,LQE2006-74
GaN/InAlN/GaNヘテロ障壁型可変容量ダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)

田沼 伸久,  久保田 稔,  鷹野 致和,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-171,CPM2006-108,LQE2006-75
n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)

甘利 浩一,  須田 淳,  木本 恒暢,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-172,CPM2006-109,LQE2006-76
SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)

山口 哲生,  石田 芳樹,  陳 晨,  萩原 正宜,  林部 林平,  山上 朋彦,  阿部 克也,  上村 喜一,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-173,CPM2006-110,LQE2006-77
ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)

山口 泰平,  直井 弘之,  荒木 努,  名西 〓之,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-174,CPM2006-111,LQE2006-78
ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN_2^+イオンダメージ軽減の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)

淀 徳男,  嶋田 照也,  田川 澄人,  西本 亮,  日高 志郎,  石井 圭太,  瀬川 紘史,  平川 順一,  原田 義之,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-175,CPM2006-112,LQE2006-79
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[発表日]2006/9/28
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[発表日]2006/9/28
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[発表日]2006/9/28
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